尼曼半导体物理与器件第十章详解.ppt

* VGSVT，VDS较小时，相对电荷密度在沟道长度方向上为一常数。 随着VDS增大，漏端附近的氧化层压降减小，意味着漏端附近反型层电荷密度也将减小。 第十章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础 * VDS增大到漏端氧化层压降为VT时，漏端反型电荷密度为0，此时漏端电导为0。 VDS VDS（sat）时，沟道反型电荷为0的点移向源端。在电荷为零的点处，电子被注入空间电荷区，并被电场扫向漏端。 第十章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础 漏端氧化层压降为VT时的VDS * n沟道增强型MOSFET的ID-VDS特性曲线 饱和区 第十章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础 * n沟道耗尽型MOSFET： 一种情况n沟道是由金属-半导体功函数差和固定氧化层电荷生成的电子反型层； 另一种情况沟道是一个n型半导体区。 负栅压可在氧化层下产生一空间电荷区，从而减小n沟道区的厚度，进而gd减小，ID减小。 正栅压可产生一电子堆积层，从而增大ID。 为使器件正常截止，沟道厚度必须小于最大空间电荷宽度 第十章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础 * （4）跨导 MOSFET的跨导gm（晶体管增益）：相对栅压的漏电流的变化。 MOSFET电路设计中，晶体管的尺寸，尤其是沟道宽度W是一个重要的工程设计参数。 （5）衬底偏置效应 前面讨论的情况，衬底（体）都于源相连并接地。 在MOSFET电路中，源和衬底不一定是相同电势。 源到衬底的pn结必须为零或反偏，以n型MOSFET为例，即VSB≥0。 第十章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础 第十章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础 * 10.4 频率限制特性 （1）小信号等效电路 MOSFET被用于线性放大电路，用小信号等效电路进行分析，等效电路包括产生频率效应的电容和电阻。 漏-衬底pn结电容 栅极电容，体现栅极与源、漏附近沟道电荷间的相互作用 寄生或交叠电容 和源、漏极相关的串联电阻 内部栅源电压，控制沟道电流 第十章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础 * （2）频率限制因素与截止频率 MOSFET中有两个基本的频率限制因素。 第一个因素为沟道输运时间。 另一个因素为栅电极或电容充电时间。 共源n沟MOSFET的高频小信号等效电路 截止频率fT：器件的电流增益为1时的频率，或是当输入电流Ii等于理想负载电流Id时的频率。 * 小 结 MOS电容器的三种工作模式，以及一些关键的参数 MOS电容器的理想C-V特性 MOSFET的基本物理结构 MOSFET的频率特性 第十章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础 第十章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础 * * 当今集成电路设计的核心 * * * * * * * 对于给定的半导体材料、栅氧化层材料和栅金属，阈值电压是半导体掺杂浓度、栅氧化层电荷和栅氧化层厚度的函数。 阈值电压是MOSFET的一个重要参数，必须在电路设计的电压范围内。 * * * * * * 感兴趣的是双极晶体管中的电流。 * * 由前面的分析中可以综合得到n沟道增强型MOSFET的ID-VDS特性曲线 * 右图为常见n沟耗尽型MOSFET的ID-VDS特性曲线族 * P沟MOSFET的等效电路与n沟器件完全相同，知识所有电压的极性和电流方向都与n沟器件相反。各电容、电阻两者也相同。 第十章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础 高等半导体物理与器件 高等半导体物理与器件 第11章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础（2） * 高等半导体物理与器件第十章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础 第十章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础 * 主要内容 双端MOS结构 电容-电压特性 MOSFET基本工作原理 频率限制特性 小结 第十章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础 * 10.1 双端MOS结构 MOSFET的核心为一个称为MOS电容的金属-氧化物-半导体结构 金属可是铝或其他金属，更为通用的是多晶硅 图中tox是氧化层厚度，εox是氧化层介电常数 基本MOS电容结构 第十章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础 * （1）能带图 借助平行板电容器加以解释 加了负栅压的p型衬底MOS电容器的电场，存在空穴堆积层 加了负栅压的p型衬底MOS电容器的能带图 第十章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础 * 加了小的正栅压的p型衬底MOS电容器的电场，产生空间电荷区 加小正栅压的p型衬底MOS电容器的能带图 第十章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础 * 随着正栅压的增大，半导体与氧化物接触的表面处能带继续弯曲，出现导带距费米能级更近，呈现出n型半导体特点，从而产生了氧化物-半导体界面处的电子反型层。 第十章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础 * 对于