半导体器件总剂量辐射效应的热力学影响研究.重点分析.docx

 PAGE \* MERGEFORMAT 9 作者简介：丛忠超（1988－），男，硕士研究生，黑龙江省大兴安岭地区，从事微电子器件的辐射效应研究。 E-mail:  HYPERLINK mailto:jeocllove@163.com jeocllove@163.com Tel.: 半导体器件总剂量辐射效应的热力学影响研究 丛忠超1,2,3,4 余学峰1,2,3* 崔江维1,2,3 郑齐文1,2,3,4 郭旗1,2,3 孙静1,2,3 周航1,2,3,4 （1.新疆电子信息材料与器件重点实验室，新疆 乌鲁木齐 830011；2.中国科学院特殊环境材料与器件重点实验室，新疆 乌鲁木齐 830011；3. 中国科学院新疆理化技术研究所，新疆 乌鲁木齐 830011；4.中国科学院大学，北京 100049） 摘要：对商用三极管和MOS场效应晶体管进行了不同环境温度下的总剂量辐照实验,对比了在其它条件相同情况下,不同的辐照温度对这两种器件辐射效应特性的影响。实验结果表明,对同一辐照总剂量,三极管的基极电流、电流增益和MOS场效应晶体管的阈值电压漂移值都随着辐照温度的不同而存在较大的差异。 关键字：总剂量辐射效应；MOS晶体管；三极管；不同温度辐照 中图分类号: TN386.1 文献标识码: A Research on the thermodynamic properties of total dose effect for semiconductor components CONG Zhong-chao1,2,3,4 YU Xue-feng1,2,3?CUI Jiang-wei1,2,3ZHENG Qi-wen1,2,3GUO Qi1,2,3 SUN Jing1,2,3 ZHOU Hang1,2,3,4 (1. Xinjiang Key Laboratory of Electronic Information Materials and Devices, Urumqi 830011,China; 2. Key Laboratory of Special Materials and Devices.CAS, Urumqi 830011, China; 3. The Xinjiang Technical Institute of Physics Chemistry.CAS, Urumqi 830011, China; 4. University of Chinese Academy of Sciences,Beijing,100049, China) *Corresponding Author，E-mail：yuxf@ Abstract：Total dose effects of diode、triode and MOS transistor under different environment temperature was studied in this paper，compared the influence of temperature on the radiation effect of the devices.The experiment results show that parameters of the diode almost the same with the change of temperature when total dose reached 100krad(Si)，while the current gain of the triode and the threshold voltage、off leakage current of MOS transistor exist an obvious variation with the change of temperature. Keywords：total dose effect;MOS transistor; triode;different temperature irradiation  1 引言 随着我国半导体事业的不断发展，半导体元器件的可靠性也不断的面临新的挑战。而空间、核爆环境、核电厂及核武器储存环境中都存在大量的辐射射线粒子,射线粒子的作用会在材料或电子器件中产生陷阱和缺陷,最终影响器件性能[1]。如影响三极管的基极电流、电流增益,MOS晶体管的阈值电压、沟道迁移率等参数,从而影响器件的工作速度和驱动能力,降低其工作性能甚至使其失效[2]。 有关电子元器件总剂量辐射效应、损伤机理的研究工作,早在上世纪70年代初就已经开展,并有大量的研究结果见报道[3-8],但这些研究大都局限在