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1.迁移率
参考答案:?
单位电场作用下,载流子获得的平均定向运动速度,反映了载流子在电场作用下的输运能力,是半导体物理中重要的概念和参数之一。迁移率的表达式为:
可见,有效质量和弛豫时间(散射)是影响迁移率的因素。
影响迁移率的主要因素有能带结构(载流子有效质量)、温度和各种散射机构。
2.过剩载流子
参考答案:?
在非平衡状态下,载流子的分布函数和浓度将与热平衡时的情形不同。非平衡状态下的载流子称为非平衡载流子。将非平衡载流子浓度超过热平衡时浓度的部分,称为过剩载流子。
非平衡过剩载流子浓度:,且满足电中性条件:。可以产生过剩载流子的外界影响包括光照(光注入)、外加电压(电注入)等。?
对于注入情形,通过光照或外加电压(如碰撞电离)产生过剩载流子:,对于抽取情形,通过外加电压使得载流子浓度减小:。
3. n型半导体、p型半导体
N型半导体:也称为电子型半导体.N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体.在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体.在N型半导体中,自由电子为多子,空穴为少子,主要靠自由电子导电.自由电子主要由杂质原子提供,空穴由热激发形成.掺入的杂质越多,多子(自由电子)的浓度就越高,导电性能就越强.P型半导体:也称为空穴型半导体.P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体.在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位子,就形成P型半导体.在P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电.空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成.掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能就越强.
4. 能带
当N个原子处于孤立状态时,相距较远时,它们的能级是简并的,当N个原子相接近形成晶体时发生原子轨道的交叠并产生能级分裂现象。当N很大时,分裂能级可看作是准连续的,形成能带。
5.能带理论
这是讨论 HYPERLINK /view/51869.htm \t _blank 晶体(包括金属、 HYPERLINK /view/56044.htm \t _blank 绝缘体和 HYPERLINK /view/19928.htm \t _blank 半导体的晶体)中 HYPERLINK /view/3476.htm \t _blank 电子的状态及其运动的一种重要的近似理论。它把 HYPERLINK /view/51869.htm \t _blank 晶体中每个电子的运动看成是独立的在一个等效势场中的运动,即是 HYPERLINK /view/2773087.htm \t _blank 单电子近似的理论;对于晶体中的 HYPERLINK /view/56721.htm \t _blank 价电子而言,等效势场包括 HYPERLINK /view/608182.htm \t _blank 原子实的势场、其他价 HYPERLINK /view/3476.htm \t _blank 电子的平均势场和考虑电子 HYPERLINK /view/24951.htm \t _blank 波函数反对称而带来的 HYPERLINK /view/596358.htm \t _blank 交换作用,是一种晶体周期性的势场。能带理论就是认为 HYPERLINK /view/51869.htm \t _blank 晶体中的电子是在整个晶体内运动的共有化电子,并且共有化电子是在晶体周期性的势场中运动;结果得到:共有化电子的 HYPERLINK /view/2583603.htm \t _blank 本征态波函数是Bloch函数形式, HYPERLINK /view/14394.htm \t _blank 能量是由准连续 HYPERLINK /view/52083.htm \t _blank 能级构成的许多能带。
6.有效质量
7.回旋共振
8. 空穴
空穴是未被电子占据的空量子态,代表价带顶附近的电子激发到导带后留下的价带空状态,是一种为讨论方便而假设的粒子。
9.深能级
半导体中的深能级杂质原子对其价电子的束缚比较紧,则其产生的能级在半导体能带中位于禁带较深处(即比较靠近禁带中央),故称为深能级杂质。杂质电离能大,施主能级远离导带底,受主能级远离价带顶。 深能级杂质有三个基本特点:
是不容易电离,对载流子浓度影响不大。
是一般会产生多重能级,甚至既产生施主能级也产生受主能级。
是能起到复合中心作用,使少数载流子寿命降低
是深能级杂质电离后变为带电中心,对载流子起散射作用,使载流子迁移率减小,导电性能下降。
10. 激子
在 HYPERLINK /view/19928.ht
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