第一半导体常规电学参数测试.ppt

第一章 硅单晶常规电学参数的测试 1.1 半导体硅单晶导电型号的测量 1、N型半导体（施主掺杂） 2、P型半导体(受主掺杂） 二、导电类型的测量方法 2、温差电动势、及电流的产生： （a）N型半导体 （b）P型半导体 3、导电类型的判定 （1）检流计指针偏转（STY-1） （2）液晶显示屏显示N或P（STY-2) STY-2仪器的优点 1、采用第四代集成电路设计、生产。 2、自动恒温的热探笔。 3、由液晶器件直接发显示N、P型。 4、操作方便、测试直观、快速、准确。 使用方法 1）插好背板上的电源线，并与～220V插座相接；将热笔、冷笔与面板上4芯、3芯插座相接。 2）打开仪器面板左下角的电源开关，电源指示灯及热笔加热灯亮。10分钟左右热笔达到工作温度时，保温（绿）灯亮，即可进行型号测量。热探笔随后自动进入保温→加热→保温→…循环，温度保持在40-60℃（国标及国际标准规定的温度）。 3）先将热笔在被测单晶面上放稳，后将冷笔点压在单晶上，液晶显示器即显示型号（N或P）。 4）测量电阻率较高的单晶时，请将N型调零电位器P型调零电位器调近临界点（逆时针旋转），以便提高仪器的测量灵敏度。 5）在P型、N型显示不稳定时，以多次能重复的测量结果为准。 6）测量时握笔的手不要与被测单晶接触，以免人体感应影响测量结果。 如图所示，在样品上压上三个探针，针距在0.15-1.5mm范围。在探针1和探针2之间接上交流电源，在探针2和探针3之间接上检流计。根据检流计的指针偏转的方向来判断晶体的导电类型。 测试原理：以N型半导体为例，如图所示： 得到外加电压和u2u2 ′的波形图 STY-3----热探笔及整流导电类型测试方法设计的导电类型鉴别仪 五、冷热探笔法和三探针法的测准因素分析 1、冷热探笔法的测量范围：1000Ω.cm以下，三探针法为1-1000Ω.cm。 2、表面要求：无反型层、无氧化层，清洁无污；对表面进行喷砂或研磨处理；（不要用未处理的表面或腐蚀、抛光的表面) 3、用冷热探笔测量时，保证热探笔不能太高（40-60℃），并不断交换冷热探笔的位置（欧姆接触，探笔触头60°， In或Pb） 。 4、三探针法：探针接触压力小，探针接触半径不大于50μm，。 5、避免电磁场的干扰。 1.2 半导体硅单晶电阻率的测量 一、半导体材料的电阻率与载流子浓度 电阻率是荷电载体流经材料时受到阻碍的一种量度。对于半导体材料，电阻率反映了补偿后的杂质浓度。一般而言，电阻率是杂质浓度差的函数。 以P型半导体为例： 二、电阻率的测试方法 按照测量仪器分类： 1、接触法： 2、无接触法： 三、两种典型的测量方法 1、两探针法 （1）一般金属测试电阻率： 如果用以上装置来测量半导体的电阻率，由于导线与样品之间存在很大的接触电阻，其有效电路图如图所示： 两探针法测试半导体材料电阻率示意图 （2）两探针法电阻率的基本原理 如图所示，在样品两端通以电流，并在样品的电流回路上串联一个标准电阻Rs，利用高阻抗输入的电压表或电位差计测量电阻上的电压降Vs，计算出流经半导体样品中的电流： 然后依靠两个靠弹簧压紧的探针在半导体样品的长度测量A、B两点的电压降VT,并测量出该两点之间的距离L。因此，可得样品的电阻率： 两探针之间的有效电路 电位差计测量两探针之间的电压降VT ，其有效电路如图所示： 由上图可得 且有 因此电位差计测得的电压UT为： 用电位差计测量电压降：当电位差计处于平衡时，流经电位差计被测电路线电流为0，即 所以有 （3）两探针法测试仪器（kDY-2） 1）结构：如图所示 2）主要参数 可测硅晶体电阻率：0.005-50000Ω?cm可测硅棒尺寸：最大长度300mm；直径20mm探针针距：1.59mm；探针直径Φ0.8mm 探针材料：硬质合金（WC）电阻测量误差：≤0.3%3）特点 a、测试范围广。 b、测试精度高。 c、即可测单晶硅，也可测多晶硅（硅芯测试）。 d、要求样品形状规则。 e、需焊接电极。 （4）两探针法测准条件： a、探针头的接触半径保持在25μm； b、样品表面经喷砂或研磨处理； c、通电流的两端面接触为欧姆接触，用镀镍或镀铜或超声波焊接； d、样品电流不易过大，E≤1V/cm,测量低阻单晶时注意电流不能过大，避免热效应。（样品的电阻率会随着温度的升高而升高） 2、四探针法 （1）四探针法测电阻率的示意图和计算公式 如图所示，将距离为1mm的四根探针压在样品上，并对外面两根探针通以恒流电流，在中间两根探针连接电位差计测量其电压降，然后根据以下公式进行计算： C---四探针的探针系数 （2）四探针法测电阻率的基本原理 假设半导体样品为半无穷大，且在此平面上有一点电流