第二导电性能.ppt

p型半导体能级图 被受主杂质束缚的空穴所处的能级称为受主能级 EA。当空穴 获得较小的能量DEA之后就能摆脱束缚，反向跃迁到价带成为 导电空穴。因此，受主能级位于靠近价带EV的禁带中。 电子浓度分布 空穴浓度分布 受主能级电离使导带 空穴浓度增加 电子能量 化合物半导体 二元化合物半导体： 砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb） 三元化合物半导体 GaAsAl、GaAsP 陶瓷半导体 ZnO、TiO2、Cu2O 温度的影响 第一段 施主造成的电导率 第二段 施主耗尽区，σ几乎不变 第三段 本征半导体的电导率 两个比较 本征半导体 VS. 非本征半导体 p型半导体 VS. n型半导体 3.3.3 质量作用定律 本征材料：电子和空穴总是成对出现 非本征材料：一种载流子的增加伴随着另一种载流子的减少 多数载流子：n型半导体中的电子或者p型半导体中的空穴 少数载流子：n型半导体中的空穴或者p型半导体中的电子 在热平衡的条件下，对于（非）本征半导体，两种载流子的乘积总等于一个常数： 质量作用定律 一定温度下，电子和空穴的浓度乘积只与材料类型有关，而与是否掺杂无关。带隙越小，乘积越大。 本征或非本征半导体，质量作用定律同样适用 3.3.4 p-n结 1. 浓度的差别导致载流子的扩散运动 2. 内建电场的驱动导致载流子做反向漂移运动 U 电势 n型 p型 n型 p型 耗尽层 p n 正偏压 正偏压 电子和空穴都向p-n结移动，最后相互结合，产生电流 随正偏压增加，电流增大 n型 p型 耗尽层 耗尽层 I正 负偏压 负偏压 负偏压时，耗尽层变宽，几乎无电流通过 漏电流：由热激发的少量电子和空穴引起（受温度影响） 若负偏压过大，漏电流的载流子会被大大加速，激发出其他载流子，导致p-n结反向击穿 p-n结只允许电流沿一个方向流过（单向导电性） n型 p型 耗尽层 耗尽层 漂移电流 vs. 扩散电流 动态平衡：扩散电流=漂移电流，总电流=0 正偏压：外电场削弱内电场，耗尽层变窄，扩散运动＞漂移运动，多子扩散形成正向电流IF 负偏压：外电场加强内电场，耗尽层变宽，漂移运动＞扩散运动，少子漂移形成反向电流IR 内电场E 多子扩散电流 少子漂移电流 耗尽层 p-n结的单向导电性 单向导电性 p-n结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻， p-n结导通 p-n结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻， p-n结截止 p-n结的整流效应 晶体管 广泛应用于开关、放大器电路，例如计算机的CPU 类型 双结晶体管 p-n-p、n-p-n型 场效应晶体管 双结晶体管 晶体三极管 双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor，简称BJT） 符号: - - N N P 发射区 集电区 基区 发射结 集电结 e c b 发射极 集电极 基极 - - P P N 发射区 集电区 基区 发射结 集电结 e c b 发射极 集电极 基极 场效应晶体管 源极、栅极、漏极 MOSFET 金属氧化物场效应晶体管 3.4 能带理论的应用 3.4.1 半导体的表面能级 能带理论的基本假设 无限扩展的3维晶体产生的周期场 材料的表面 失去周期性，周期势场与材料内部不再相同 电子占据状态发生变化 费米能级 能带中有一半能级被电子占据的能级 Ec Ev Ef T=0K e- e- e- e- e- e- e- e- e- e- e- e- e- e- e- Ec Ev Ef T0K e- e- e- e- e- e- e- e- e- e- e- e- e- e- e- 费米能级 判断一个系统是否处于平衡状态的关键是其费米能级是否相等 费米能级相当于水平面 一个相同的系统中，水平面必须相等 两个相互独立、互不影响的材料，费米面可以不一样，但两个材料连成一个系统，就会在两者之间发生电荷移动，最终使费米能级相等 表面能带的弯曲 画表面能带结构图的原则 费米能级相同 能带是连续的 禁带宽度不可改变 电子能级向上为变高 空穴能级向下为变高 n型半导体的表面能带 电子从内部向表面迁移，在表面出现负电荷，接近表面的内部会因缺少电子而出现带正电荷，成为一个p型反转层 Honda-Fijishima效应 TiO2半导体的光催化 水溶液中的TiO2电极被光照射后，在二氧化钛电极上会产生氧气，在对极的铂电极上会产生氢气 光激发的电子进入半导体电极内部，空穴到达半导体表面。空穴与水里的氧离子相互作用，电子则通过铂电极与氢离子相互作用 染料敏化太阳能电池 3.4.2 半导体与半导体接触 p-n结的界面——载流子耗尽区 p-n结整流原理 空间电荷层产生的内建电压Ubi(built-in) 顺着Ubi方向，载流子容易流