无铅压电陶瓷的晶粒定向生长技术详解.ppt

无铅压电陶瓷的晶粒定向生长技术 热处理技术-热锻法 热处理技术利用了在高温下，通过施加外力使晶粒内位错运动和晶界滑移从而使陶瓷晶粒实现定向排列。 研究最多的是热锻法。将试样先经过一段时间的普通烧结后，再在试样上加上单轴压力并且保持一段时间。 热锻法制备SrBi4Ti4O15 (SBT) 实验原料： SrCO3， Bi2O3, TiO2 实验过程： 实验结果 实验结果 模板生长法 (Templated Grain Growth Method,TGG) 制备各向异性的模板晶粒(水热法或熔盐法) 模板晶粒定向排列 (流延或挤塑) 模板生长法 模板生长法 模板生长法 T. Takeuchi 等人以片状Bi4Ti3O12 为模板用流延和挤塑法制备出了织构化的CaBi4Ti4O15 陶瓷压电性能提高了2~3 倍。 表1 定向和非定向的CaBi4Ti4O15 陶瓷的压电和介电性能比较 反应模板生长法(Reactive Templated Grain GrowthMethod，RTGG) 熔盐法合成片状Bi4Ti3O4模板晶粒 原料(Bi2O3, Ti2O3, Na2CO3)+模板晶粒+粘结剂+塑化剂等球磨成浆料→流延→膜剥离→切片、叠片→制成条状胚体 排胶→烧结 Bi4Ti3O12 +2Na2CO3 +5TiO2→8Bi0.5Na0.5TiO3 +2CO2 TGG与RTGG的比较 RTGG是将定向的模板埋入致密的原料中，热处理过程中，同时完成了反应烧结与晶粒定向生长这两个过程。 TGG则是将定向的模板片埋在致密的预先合成好的期望晶体细粉中，热处理时，在界面曲率驱动力的推动下，基质在模板上沿模板方向生长。 多层晶粒生长法 用熔盐法合成片状 Bi4Ti3O12模板 (平均直径7.5 μm，厚度0.4 μm) 将原料(Bi2O3、Na2CO3、BaCO3粉末)与Bi4Ti3O12模板混合球磨，变为NBBT； 丝网印刷：沉积一层，100℃干燥，重复30次(150 μm)；切12×12 mm2剥离，叠30-40层，液压机压成3-10 mm厚；排胶，烧结。 多层晶粒生长法 几种晶粒定向技术的比较 应 用 * * * * Lecture: 周怀娟 Team members：宋香莲 刘丽莎 李文静 黄爱彬 张振铖 陈鸿铭 熊开南 背 景 目前使用的压电陶瓷材料主要是铅基压电陶瓷，其中的PbO约占原材料总量的70%，由于PbO是一种易挥发的有毒物质，在生产过程中， PbO粉尘以及高温合成或烧结过程中挥发出来的PbO极易造成环境污染，在使用和废弃后的处理过程中也会给人类及生态环境造成严重危害。 开发无铅基的环境协调性压电陶瓷材料是一项紧迫而具有重要科学意义的课题。 制备方法 固相反应法 湿化学法 晶粒定向生长技术 热处理技术（热锻法） 模板生长法（TGG） 反应模板生长法（RTGG） 多层晶粒生长法(丝网印刷法) 热锻法工艺示意图 热压轴 样品 模具 炉体 配料 球磨(24h) 预烧(950℃, 4h) 压片 (F=500kg/cm2, d=17mm, h=20mm ) 热锻处理(1200℃, 50kg/cm2单轴压力) 热锻法制备SrBi4Ti4O15 (SBT)陶瓷的扫描电子显微图像 （a）SBT (⊥) ，（b）SBT(//) SrBi4Ti4O15 与温度相关的介电常数：SBT (⊥)和 SBT(//)试样 εr 挤塑法→ 针状模板晶粒 流延法→片状模板晶粒 Bi2O3+Na2O3+TiO2+BaCO3→0.94(Na1/2Bi1/2)TiO3-0.06BaTiO3 (简称BNT-BT)(850℃,2h) 熔盐法合成片状SrTiO3模板晶粒 NBT-BT粉料+模板晶粒+粘结剂+塑化剂等球磨成浆料→流延→膜剥离→切片、叠片→制成条状胚体 排胶(700℃,2h)→烧结(1170℃，12h) 片状SrTiO3模板晶粒 a-织构化 BNT-BT试样；b-随机取向 BNT-BT 参数 流延法定向 挤塑法定向 非定向 平均取向度f 93.2 50.9 0 ε33/a0 139 143 149 k33/% 53.5 41.8 16.9 d33/(pC·N-1) 45 35 15 Bi4Ti3O12+Bi2O3+3Na2CO3+0.77BaCO3+9.77TiO2→ 12.77(Na0.5Bi0.5)0.94Ba0.06TiO3（BNTT）+3.77CO2 取向度达91.6% 箭头为丝