去PSG工序培训.docxVIP

去PSG（磷硅玻璃） 目的：去除硅片表面的P-Si玻璃层（PSG）,为加镀减反射膜做准备在形成PN结的扩散过程中，在硅片表面形成一层一定厚度的磷硅玻璃，磷硅玻璃不导电，为了形成良好的欧姆接触，减少光的反射，在沉积减反射膜之前，将磷硅玻璃腐蚀。 磷硅玻璃使硅片在空气中容易受潮，导致电流的降低和功率的衰减 死层的存在大大增加了发射区电子的复合，会导致少子寿命的降低 磷硅玻璃的存在使得PECVD后产生色差 磷硅玻璃的来源： 4POCl3+3O2→2P2O5+6Cl2↑ 2P2O5+5Si→5SiO2+4P↓ 硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，成为磷硅玻璃，主要成分P、P2O5、SiO2。 反应原理 原理 ：利用HF和硅片表面的P-Si玻璃层反应，并使之络合剥离，以达到清洗的目的。 HF + SiO2 → H2SiF6 + H2O 工艺设备 序号工序辅助处理液时间温度1HF鼓泡HF酸120RT2溢流漂洗鼓泡DI120RT3溢流漂洗鼓泡DIRT4溢流漂洗鼓泡DIRT 异常现象：清洗好的硅片表面有水珠或水成股流下，硅片表面疏水性不好。 分析原因：HF的浓度太低，清洗的时间过短或过长。 解决办法：及时补充或更换HF；若HF足量该调节HF中的清洗时间，时间过长或过短都会影响硅片表面状态，最终影响电池的性能。 注意事