模拟CMOS集成电路设计第2章MOS器件物理基础详解.pptVIP

第二章MOS器件物理基础 MOSFET的结构 MOSFET的结构 MOS管正常工作的基本条件 同一衬底上的NMOS和PMOS器件 例：判断制造下列电路的衬底类型 NMOS器件的阈值电压VTH NMOS管VGSVT、VDS=0时的示意图 NMOS管VGSVT、 0VDS VGS-VT时的示意图 NMOS沟道电势示意图(0VDS VGS-VT ) I/V特性的推导（1） I/V特性的推导（2） 三极管区的MOSFET（0 VDS VGS－VT） I/V特性的推导（3） 饱和区的MOSFET（VDS ≥ VGS－VT） NMOS管VGSVT、VDSVGS-VT时的示意图 NMOS管的电流公式 MOSFET的I/V特性 例2.1：在图2.14a中，表示M1是受VG控制的电阻。假设Cox＝50uA/V，W/L=10，VTH＝0.7V。漏端开路 MOSFET的跨导gm 例2.2：如图2.19，画出跨导与 的函数曲线 MOS管饱和的判断条件 MOS模拟开关 NMOS模拟开关传送高电平的阈值损失特性 PMOS模拟开关传送低电平的阈值损失特性 MOS管的开启电压VT及体效应 MOS管的开启电压VT及体效应 MOS管体效应的Pspice仿真结果 衬底跨导 gmb MOSFET的沟道调制效应 MOSFET的沟道调制效应 MOS管沟道调制效应的Pspice仿真结果 MOS管跨导gm不同表示法比较 亚阈值导电性 当 下降到低于 时管子会突然关断。事实上， 时，一个弱的反型层仍然存在，还是有电流从D流向S。甚至当 ， 也并非无限小，而是与 成指数关系。这种效应称为“亚阈值导电” 亚阈值导电特性 MOS管亚阈值导电特性的Pspice仿真结果 MOS器件版图 MOS器件电容 在许多模拟电路中，器件电容也必须加以考虑以便预测其交流特性。 我们认为电容存在于MOSFET的四个端子中任意两个之间。 The Gate Capacitance Gate Capacitance Gate Capacitance Measuring the Gate Cap Diffusion Capacitance Junction Capacitance Linearizing the Junction Capacitance Capacitances in 0.25 mm CMOS process 不同工作区的MOS电容 栅源、栅漏电容随VGS的变化曲线 MOS器件电容 减小MOS器件电容的版图结构 栅极电阻 MOS小信号模型 漏电流公式和与电压有关的电容构成了MOS的大信号模型。当信号显著影响偏置工作点时，应考虑非线性效应。 若信号对偏置影响小时，则可以用小信号模型简化计算。 小信号模型是工作点附近的大信号模型的近似 由于模拟电路中MOS偏置在饱和区，可以导出其相应的小信号模型。 （1）由于漏电流是栅-源电压的函数，因此我们可以引入一个值为gmVGS的压控电流源。 连接于D和S之间的输出电阻可由下式得到： （3）衬底电势影响阈值电压，因而也影响栅-源过驱动电压，在所有其他端子保持恒定电压的情况下，漏电流是衬底电压的函数。 也就是说，衬底相当于另一个栅。 用连接于B和S之间的电流源模拟这一关系，其电流值为gmbVbs,其中gmb= 完整的MOS小信号模型也包括器件电容 MOS小信号模型中的电容 例：求下列电路的低频小信号输出电阻(γ＝0) 例：求下列电路的低频小信号输出电阻(γ＝0) 例：求下列电路的低频小信号输出电阻(γ＝0) 小信号电阻总结（γ＝0） NMOS器件的电容--电压特性 例：若W/L＝50/0.5，|ID|＝500uA，分别求: NMOS、PMOS的跨导及输出阻抗以及本征增益gmr0 （tox=9e-9 λn=0.1, λp=0.2 , μ n= 350cm2/V/s, μ p= 100cm2/V/s ） 本节中描述了最简单的MOS SPICE模型，也就是平常所说的“Lever 1”，并给出了0.5m工艺中各参数的典型值 各参数定义如下： 本章基本要求 对于图（A）： 对于图（B）： 对于图（C）： 积累区 强反型 tox=50 ?, Cox?6.9fF/μm2(1 ?=10-10 m, 1fF= 10-15 F) ∴tox=90 ?, Cox?6.9*50/90=3.83fF/μm2 同理可求得PMOS的参数如下：gmP ?1.96mA/V ，r0P ?10KΩ ，gmP r0P ?19.6 例2.3 在图2.23(a) 图中。假设 ， ， 。