第2章_太阳能光电材料及物理基础详解.ppt

直接跃迁： 直接带隙半导体： 间接跃迁： 间接带隙半导体： 间接跃迁不仅取决于电子和光子的作用，而且要考虑电子和晶格的作用，导致吸收系数大大降低。 对于间接禁带半导体硅而言，需要几百微米以上的厚度，才能完全吸收太阳光中大于其禁带宽度的光波的能量；而对于直接禁带的GaAs半导体，仅仅需要几个微米的厚度就可以完全吸收太阳光中大于其禁带宽度的光波的能量。 如果半导体材料的导带底的最小值和价带顶的最大值具有相同的波矢，价带中的电子跃迁到导带上时，动量不发生变化。 如果半导体材料的导带底的最小值和价带顶的最大值具有不同的波矢，价带中的电子跃迁到导带上时，动量发生变化。 光生伏特 ①当p型半导体和n型半导体结合在一起，形成p-n结时，由于多数载流子的扩散，形成了空间电荷区，并形成一个不断增强的从n型半导体指向p型半导体的内建电场，导致多数载流子反向漂移。达到平衡后，扩散产生的电流和漂移产生的电流相等。 ②如果光照在p-n结上，而且光能大于p-n结的禁带宽度，则在p-n结附近将产生电子-空穴对。由于内建电场的存在，产生的非平衡电子载流子将向空间电荷区两端漂移，产生光生电势（电压），破坏了原来的平衡。 ③如果将p-n结和外电路相连，则电路中出现电流，称为光生伏特现象或光生伏特效应。 刘亚兰 光学材料及原理 2.1 半导体材料和太阳能光电材料 2.2 载流子和能带 2.3 杂质和缺陷能级 2.4 热平衡下的载流子 2.5 非平衡下的载流子 2.6 p-n结 2.7 金属-半导体接触和MIS结构 2.8 太阳能光电转换原理-光生伏特效应 2.1 半导体材料和太阳能光电材料 半导体材料 分类 特征 按照成分分 按照晶体结构分 按照特性功能分 有机半导体、无机半导体（元素半导体和化合物半导体） 晶体半导体和非晶体半导体 微电子材料、光电子材料、光电转换（光伏）材料、微波材料、传感器材料等 ①电阻率特性 ②导电特性 ③负的电阻率温度系数 ④整流特性 ⑤光电特性 太阳能光电材料 太阳能光电材料是应用光伏特性制备太阳电池的半导体材料，是半导体材料的一种应用，具有半导体材料所有的基本物理性质。 并不是所有半导体材料都能用于实际太阳能光电材料 ①材料物理性质的限制 ②材料提纯、制备困难 ③对材料和电池制备的成本问题 硅晶体管、非晶硅、铸造多晶硅、薄膜多晶硅、GaAs基系Ⅲ-Ⅴ化合物半导体材料、CdTeⅡ-Ⅵ化合物半导体被作为太阳能光电材料而广泛研究和应用。 2.2 载流子和能带 载流子： 半导体材料中导电的电子、空穴，其浓度是半导体材料的基本参数。 本征半导体： 在超高纯没有掺入杂质，电子和空穴的浓度相等的半导体材料。 n型半导体: （n型掺杂剂） P型半导体： 在超高纯半导体材料中掺入某种杂质元素，使电子浓度大于空穴浓度。 电导率 能带结构（参考资料） ①周期性势场 ②电子共有化 能级形成能带结构 导带 禁带 价带 半导体材料的禁带宽度是一个决定电学和光学性能的重要参数。 导体 绝缘体 半导体 电子和空穴 价电子 自由电子 电子空穴对 温度 升高 外电场 电子漂移产生电流 电子导电 （电子为载流子） 空穴导电同上 所以，在半导体材料中，有电子和空穴两种载流子导电。 对于纯净半导体而言，在热平衡状态，其电子-空穴对的浓度主要取决于温度。 2.3 杂质和缺陷能级 杂质半导体 电子浓度﹥空穴浓度 施主能级 电子浓度﹤空穴浓度 受主能级 深能级：杂质能级的位置位于禁带中心附近，电离能较大，对半导体材料的载流子没有贡献，但是电子和空穴的复合中心，影响非平衡少数载流子的寿命。 杂质能级：杂质能级的位置靠近导带底或价带顶，在室温下电离，对半导体材料提供额外的载流子。 对于硅太阳电池而言，深能级杂质直接影响硅晶体少数载流子的寿命，是有害的，会直接影响太阳能光电转换效率。 缺陷能级 点缺陷 线缺陷 面缺陷 体缺陷 2.4 热平衡下的载流子 本征激发： 载流子的复合： 半导体的平衡状态： 无论是本征半导体还是杂质半导体，随着温度的升高，不断有载流子产生。 费米分布函数：P26 对于某种半导体材料，其禁带宽度Eg固定，则在一定温度下，其热平衡的载流子浓度乘积是一定的，与半导体的掺杂类型和掺杂浓度无关。 2.5 非平衡少数载流子 在热平衡状态下，产生电子-空穴的同时又复合，保持载流子浓度不变。 当半导体材料处于光照条件下时，载流子浓度就会发生变化，处于非平衡状态，太阳能光电应用就是典型的半导体材料在非平衡状态下的应用。 非平衡载流子，对多数载流子影响不大，但严重影响少数载流子浓度及相关性质。 直接复合： 间接复合： 非平衡载流子的产生或注入： 半导体材料的寿命