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模拟电子技术 第一章 编写：梁炯名 欢迎指导 【内容摘要】半导体器件是电子线路的核心，因其具有体积小，重量轻，使用寿命长，耗电少，工作可靠等优点而被广泛应用。 半导体基础知识 半导体的特点 自然界中的各种物质，按导电能力可以划分为导体，绝缘体和半导体三大类。半导体导电能力介于导体和绝缘体之间。 （1） 半导体对温度敏感 当温度升高时，半导体的导电能力增强。利用半导体的热敏性可以制作成各种热敏元件，用来检测温度的变化。 （2） 半导体对光照敏感 有些半导体被光照后其导电能力增强。利用光敏性可以制作成光敏二极管，光敏电阻等光敏元器件。 （3） 半导体具有掺杂性 如果在纯净的半导体内参入某种微量元素后，其导电能力可能增加几十万倍至几百万倍。利用这种掺杂性可以制作成二极管，晶体管和场效应晶体管等半导元器件。 1.2 本证半导体 纯净的单晶半导体称为本征半导体，即不含任何杂质、结构完整的半导体。 1.2.1 本征半导体的晶体结构 常用的半导体材料硅（Si）和锗（Ge）的原子序数分别为14和32，它们的原子结构如图1-1（a）和（b）所示。 图 1-1 硅和锗的原子结构模型 (a) 硅； (b) 锗； (c) 原子简化模型 硅和锗都是晶体，晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵——称为晶格。整块晶体内部晶格排列完全一致的晶体称为单晶。 硅和锗的单晶体即为本征半导体。 图 1-2 硅和锗晶体共价键结构示意图 1.2.2 两种载流子 自由电子又叫电子载流子，空穴又叫空穴载流子，统称载流子。因此半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电，分别形成电子流和空穴流，这是导体区别于半导体的重要特征。在常温下本征半导体的载流子浓度很低，导电能力很弱。 1.2.3 杂质半导体 利用半导体的掺杂特性，如果在本征半导体中掺入少量的其他元素，可以使本征半导体的导电性能发生显著的变化。掺入杂质的半导体称为杂质半导体。 根据掺入的杂质不同，杂质半导体可分为N型半导体和P型半导体。 N型半导体 在纯净的单晶体硅中，掺入微量的五价杂质??素，如磷、砷、锑等，使原来晶格中的某些硅原子被杂质原子所取代，便构成N型半导体。 自由电子：多数载流子(多子) 空 穴：少数载流子(少子) 图 1-3 P型半导体结构示意图 P型半导体 在纯净的单晶硅中掺入微量的三价杂质元素，如硼、镓、铟等，便构成P型半导体。在P型半导体中，由于掺入的是三价杂质元素， 使空穴浓度远大于自由电子浓度。 空 穴：多数载流子(多子) 自由电子：少数载流子(少子) 图 1-4 P型半导体结构示意图 必须指出：首先，杂质离子虽然带电荷，但不能移动，因此它不是载流子；此次不论N型半导体还是P型半导体都呈电中性，即对外不显电性。 PN结形成与特性 1.3.1 PN结的形成 采用特定的制造工艺，在同一块半导体基片的两边分别形成N型和P型半导体。由于N型和P型半导体交界面两侧的两种载流子浓度有很大的差异，因此会产生载流子从高浓度区向低浓度区运动，这种运动称扩散，P区中的空穴会向N区扩散，并在N区被电子复合。而N区中的电子也会向P区扩散，并在P区被空穴复合。如图1-5 所示 1.3.2 PN结的单向导电性 加在PN结上的电压称为偏置电压，若在P区接电源正极，N区接电源负极，称为PN结正向偏置，简称正偏；反之，称为PN结反向偏置，简称反偏。 PN结正向偏置时，结电阻很小，回路中产生一个较大的正向电流， PN结呈导通状态； PN结反向偏置时，结电阻很大， 回路中的反向电流很小，几乎接近于零，PN结呈截止状态。 所以，PN结具有单向导电性。 半导体二极管 结构 把PN结两端各引出一根引线，用外壳封装后就构成二极管。P区引出的电极称正极或阳极，N区引出的电极称负极或者阴极。 1.4.2 二极管的伏安特性 二极管的基本结构就是一个PN结，因此二极管具有和PN结相同的特性。 但是，由于管子存在电中性区的体电阻和引线电阻等，在外加正向电压相同的情况下，二极管的正向电流要小于PN结的电流，大电流时更为明显。 当外加反向电压时，由于二极管表面漏电流的存在，使反向电流增大。 尽管如此，一般情况下仍用PN结的伏安特性方程式来描述二极管的电压和电流关系。 1.4.3 二极管的主要参数 (1) 最大整流电流IF：二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。 最大反向工作电压UR ：当二极管的反向电压超过最大反向工作电压UR时，管子可能会因反向击穿而损坏。