皖西学院传感器复习题要点分析.docVIP

题库及参考答案 名词解释题 1、传感器静态特性： 传感器的静态特性是指被测量的值处于稳定状态时的输出与输入的关系。 2、应变效应： 导体或半导体材料在外界力的作用下产生机械变形时，其电阻值相应发生变化， 这种现象称为“应变效应” 3、电涡流： 块状金属导体在变化磁场中作切割磁力线运动，在金属导体内部就会产生漩涡状的电流，称电涡流。 4、热电效应： 两种不同的金属导体连接组成闭合回路，接触点处于不同的温度场中，则在回路中就会有电流产生，这种现象称热电效应。 5、压电效应： 某些电介质，当沿着一定方向对其施力而使它变形时，内部就产生极化现象，同时在它的两个表面上便产生符号相反的电荷， 当外力去掉后，又重新恢复到不带电状态。这种现象称压电效应。 6、外光电效应： 在光线作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应。 7、光电导效应： 在光纤作用下，电子吸收光子能量从键和状态过渡到自由状态，而引起材料电导率变化，这种现象称为光电导效应。 8、光电传感器等效噪声功率（NEP）: 能够产生与传感器输出噪声功率相等的入射光功率的大小。 9、传感型光纤传感器 利用光纤本身的某种敏感特性或检出功能制成的传感器，称为传感型传感器 10、霍尔效应： 半导体薄片，长度为L，宽度为b，厚度为d，当他被置于磁感应强度为B的磁场中，如果在它相对的两边通以控制电流I，且磁场方向与电流方向正交，则在半导体另外两边将产生一个大小与控制电流I和磁感应强度B乘积成正比的电势,称霍尔电势，这种现象称霍尔效应。 11、传感器 传感器是能感受规定的被测量并按照一定的规律将其转换成可用输出信号的器件或装置。 12、压阻效应：沿半导体的某一轴向施加一定的载荷力，而产生形变，其电阻率就发生变化，这种现象称压阻效应 13、横向压电效应：沿压电晶体机械轴方向施加力，使压电晶体产生电信号的压电效应称横向压电效应。 14、内光电效应：当光照射在物体上，使物体的电阻率发生变化或产生光生电动势的效应称内光电效应 15、光生伏特效应：在光线作用下能够使物体产生一定方向电动势的现象称光生伏特效应 16、结光电效应：接触的半导体PN结中，当光线照射器接触区域时，便引起光电动势，这就是结光电效应。 17、暗电流：光传感器接入电路后，即使没有光照射没有余热电子发射、场致发射和晶格振荡激发载流子，使电路有电流输出，此电流称为暗电流。 18、传光型光纤传感器：光纤仅仅起传输光的作用，它在光线端面或中间加装其他敏感元件感受被测量的变化，这种光纤传感器称传光型光纤传感器 19、重复性：指传感器在输入量按同一方向作全量程连续多次变化时，所得特性曲线不一致的程度。 20、接触电势及其表示方法 21、居里点温度 ：是指压电材料开始丧失压电特性的温度。 22、外光电效应定义及器件 在光照射下,电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应,亦称光电发射效应 器件: 光电管、光电倍培管 23、磁阻效应：若给通以电流的金属或半导体材料的薄片加以与电流垂直或平行的外磁场，则其电阻值就增加。称此种现象为磁致电阻变化效应，简称为磁阻效应。 24、逆压电效应 当在电介质的极化方向施加电场，这些电介质就在一定方向上产生机械变形或机械压力，当外加电场撤去时，这些变形或应力也随之消失的现象。 25、内光电效应定义及器件 当光照射在物体上，使物体的电阻率ρ发生变化，或产生光生电动势的现象叫做内光电效应。 器件：光敏电阻、光电池和光敏二极管、三极管 26、热释电效应 电石、水晶、酒石酸钾钠、钛酸钡等晶体受热产生温度变化时，其原子排列将发生变化，晶体自然极化，在其两表面产生电荷的现象称为热释电效应。 27、γ射线与物质的相互作用的光电效应 当一个光子和原子相碰撞时，将其能量全部交给某一轨道电子，使它脱离原子， 光子则被吸收，这种现象称为光电效应。 28、横向压电效应： 沿压电晶体机械轴方向施加力，使压电晶体产生电信号的压电效应称横向压电效应。 29、暗电流： 光传感器接入电路后，即使没有光照射没有余热电子发射、场致发射和晶格振荡激发载流子，使电路有电流输出，此电流称为暗电流。 30、传光型光纤传感器： 光纤仅仅起传输光的作用，它在光线端面或中间加装其他敏感元件感受被测量的变化，这种光纤传感器称传光型光纤传感器 31、迟滞： 传感器在正(输入量增大)反（输入量减小）行程中输出输入曲线不重合程度为迟滞。 32、压阻效应 是指半导体材料在某一轴向受外力作用时，ρ发生变化的现象 33、内光电效应： 光照射在物体上，使物体的电阻率ρ发生变化，或产生光生电动势的现象叫做内光电效应. 34、热电效应： 两种不同的导体或半导体A和B组合成闭合回路，连接点处于不同的温度场中（设T＞T0），则在此闭合回路中就有电流产生，也就是说回路中