硅·机械材料要点解析.ppt

硅能实现高可靠性的机械组件 疲劳裂纹几乎都发生在被施加压力构件的表面，疲劳的速度很大程度上取决于表面处理、形态和缺陷密度。 钝化表面的多晶金属合金（防止水的粒间扩散）比非钝化表面表现出更高的疲劳优势，并且因为同样的原因，高层大气的水蒸气含量在疲劳测试过程中将使疲劳强度明显降低。 硅的机械特性 在多晶材料中，这些晶粒边界或表面不规则、局部应力集中的表面缺陷可以夹杂物。很显然，完美的高结晶的SCS和极端的平滑度、完美的表面一起，通过化学蚀刻硅，实现了具有内在的高疲劳强度的屈服机械结构。通过附加的表面处理，脆性材料更大的优势是可以预见的。 由于流体静压力已被证明能提高疲劳强度，任何置于压缩下的硅表面的薄膜，应降低疲劳裂纹产生的起始概率。例如氮化硅薄膜，往往是处于张力状态的，因此在硅表面的下面赋予了一个压缩应力。 为了增强SCS机械组件的疲劳强度，也可以采用这样的薄膜。此外，这些薄膜的无定形材料的平滑性，均匀性和高的屈服强度应该提高整个组件的可靠性。 微机械加工蚀刻技术 尽管新技术和老技术的新颖应用不断被开发用于微结构，最强大和最灵活的处理工具将继续被蚀刻。有无数的化学腐蚀剂能腐蚀硅。要确定适当的掩模材料，它们可以是各项同性或者各向异性的，可以是依赖掺杂剂或者不依赖的，并有对硅有不同程度的选择性 微机械加工蚀刻技术 混合乙烯二胺和邻苯二酚在没有水的情况下不会蚀刻硅。其他常见的硅蚀刻剂可以以相同的方式进行分析。由于蚀刻过程基本上是一个电荷转移机理，所以蚀刻速率可能会对依赖于掺杂剂的类型和浓度并不奇怪。仅仅是因为移动传送更高的可用性，特别是高掺杂的材料一般预期可能比低掺杂的硅表现出较高的蚀刻速率。 各向异性的蚀刻剂，如电子数据处理（EDP），氢氧化钾，在另一方面，表现出不同的择优腐蚀行为，尚未得到充分的解释。 化学各向异性蚀刻（或取向依赖）性质的确切机制尚不十分清楚。这种硅蚀刻行为的主要特征是（111）的表面在比所有其他的晶面速度慢的多的速度下被攻击（蚀刻速率比已高达1000）。 活性材料，硅是丰富、便宜并且现在可以可控制地加工和生产到无与伦比的纯净和完美的标准 硅处理本身是建立在非常薄的沉积薄膜上的，这一点高度服从小型化 设备形状和模式的定义和复制是采用照相技术，这种技术在历史上也能高精度和服从小型化；最后但也是最重要的一个商业和实用的角度 硅微电子电路是批量伪造的。集成电路晶片的生产单位不是一个个体可供出售的物品，但包含成百上千的相同的芯片。 4个因素 起着 关键作用 ` 硅微电子的小型化 一方面，材料、流程和制造技术均来自半导体行业 硅多学科应用的 问题 另一方面，应用领域主要是在机械工程和设计上。 硅微电子的小型化 硅的杨氏模量接近不锈钢和镍但是高于石英和其他大多数硼硅、钠钙、铅碱性硅酸盐的玻璃。硅的努氏硬度和石英的接近，略低于铬。硅的单晶体有拉伸屈服强度高于不锈钢丝至少三倍。 尽管SCS是一种脆性材料，会发生突变，但他肯定不像大家认为的那样脆弱 尽管优质SCS本质上是强大的，但一个特定的机械部件或装置将取决于它的晶体取向、几何形状、表面的数量和大小、边缘、体积缺陷、以及在发展、抛光和后续处理过程中产生和累积的应力 硅材料应该尽可能地拥有小的体积、表面和边缘晶体缺陷密度以最小化潜在区域的应力集中 可能受到严重摩擦、磨损 或压力的组件应尽可能小以减少机械结构中晶体缺陷的总数。这些从来不被明显施压和磨损的设备可能会相当大。然而，即便如此，薄硅片应该受到一些技术的机械支持比如在正常的处理和运输过程中抑制阳极键对玻璃冲击的影响 所有机械加工如锯、磨、划片、抛光应该最小化或消除。这些操作导致边缘和表面缺陷,从而可能导致边缘碎裂,和/或导致内部菌株随后破损。许多微机械组件应该最好与晶片分开,例如,通过蚀 刻,而不是减少 如果传统锯、磨、或其他机械操作是必要的,那么受影响的表面和边缘应随后刻蚀来清除高度受损区域 因为很多下面的结构 采用各向异性刻蚀，常常形成尖锐的边缘。这些功能也会导致累积和集中应力在某些几何图形上的破坏。这些结构可能需要后续的各向同性腐蚀或其他平滑方法绕过这些角落 坚固的,硬的,耐腐蚀的薄膜涂层如CVD碳化硅或氮化硅应该应用于防止对硅本身的直接机械接触,尤其是在涉及到高压力和/或磨损的应用程序上 主要是为超大规 模集成制造而发展起来的低温处理技术,如高压和等离子辅助的氧化物生长和CVD沉积物,将与硅微观力学的应用程序同样重要。由于不同掺杂和沉积层的不同热膨胀系数，高温循环会不可避免地导致高应力作用于晶片。低温处理将缓解这些热错配应力,否则可能