拉扎维模拟CMOS集成电路设计第二章作业答案详解完整版中文.pptVIP

Copyright for zhouqn 2.16 上面讨论，可知： (1)M2工作在饱和区，则电流满足平方关系 (2) M2工作在线性区，则电流满足线性关系 Copyright for zhouqn 2.17 已知NMOS器件工作在饱和区。如果(a) ID恒定，(b)gm恒定，画出W/L对于VGS-VTH的函数曲线。 饱和区： Copyright for zhouqn 2.18 如图2.15所示的晶体管，尽管处在在饱和区，解释不能作为电流源使用的原因。 以上电路的电流与MOS管的源极电压VS有关，而电流源的电流是与其源极电压VS无关的。 Copyright for zhouqn 2.27 已知NMOS器件工作于亚阈值区，ξ为1.5，求引起ID变化一个数量级所需的VGS的变化量。如果ID=10μA，求gm的值 Copyright for zhouqn 2.28 考虑VG=1.5V且VS=0的NMOS器件。解释如果将VD不断减小到低于0V或者将Vsub不断增大到0V以上，将会发生什么情况？ 如果VD不断减小到低于0V，则 NMOS的源-漏交换 NMOS工作在线性区 (b) 如果VB不断上升，VSB不断降低，则阈值电压不断减小 漏电流ID上升 Copyright for zhouqn THE E