第四章_半导体的导电性教案分析.ppt

* 对于杂质补偿的材料，在杂质饱和电离温度下： 若 （4-63） 若 （4-64） 4.4.2 电阻率和杂质浓度的关系 只掺n型杂质： 只掺p型杂质： * 例题：求室温下本征硅的电阻率。若在本征硅中掺入百万分之一的硼，电阻率是本征硅多少倍？ 解： 室温本征硅的载流子浓度、电子和空穴的迁移率分别为： 因此电阻率为： 4.4.2 电阻率和杂质浓度的关系 * 掺入硼后，成为P型半导体。由于室温下杂质全部电离，因此载流子浓度为： 查阅室温下硅的杂质浓度与迁移率的关系曲线（图4-13）知，此时空穴的迁移率为： 所以P型硅的电阻率为： 4.4.2 电阻率和杂质浓度的关系 * 4.4.2 电阻率和杂质浓度的关系 对纯半导体材料，电阻率主要由本征载流子浓度ni决定．随着温度上升ni急剧增加，而迁移率只稍有下降，本征半导体电阻率随温度增加而单调下降。 对杂质半导体，有杂质电离和本征激发两个因素存在，又有电离杂质散射和晶格振动散射两种散射机构的存在，因而电阻率随温度的变化关系更为复杂.对只有一种杂质的硅样品,其变化情况如下图所示: * 4.4.2 电阻率和杂质浓度的关系 AB段 温度很低，本征激发可忽略。载流子主要由杂质电离提供，载流子浓度随温度升高而增加；散射主要由电离杂质决定，迁移率随温度升高而增大，所以，电阻率随温度升高而下降． 注：虽然温度升高，电离杂质浓度也在增加，但不起主要作用。 D