砷化镓材料技朮分析.pptxVIP

;布里渊区;三维和一维的第一布里渊区;砷化镓导带极小值位于布里渊区中心k=0的Γ处，等能面是球面，导带底电子的有效质量为0.063m。在【1 1 1】和【1 0 0】方向布里渊区边界L和X处还各有一个极小值，电子的有效质量分别为0.55m和0.85m。室温下， Γ，L，X三个极小值与价带顶的能量差分别为1.424eV，1.708eV和1.900eV。;砷化镓的 能带结构图;能带图;;如果我们从实际上计算能带结构，可以通过回旋共振实验测载流子有效质量，并据此推出半导体能带结构。 导带底附近 E(k）-E(0)= ? 2k2/2 m*n 价带顶附近 E(k）-E(0)= ? 2k2/2 m*p ;回旋共振 将一块半导体样品置于均匀恒定的磁场中，设磁感应强度为B，如半导体电子初速度为v, v与B间夹角为Θ，则电子受到的磁场力f为 f=-qv x B 电子沿磁场方向以速度v|| =vcos Θ做匀速运动，在垂直于B的平面内做匀速圆周运动，运动轨迹是一螺旋线。设圆周半径为r，回旋频率为ωc则 v⊥ =r ωc ，向心加速度a= v⊥ 2/r。 ;由有效质量的定义， 1/m*n =1/ ?2 ? d2E/dk2 a=dv/dt=1/ ? ? d(dE/dk)/dt=f/ ?2 ? d2E/dk2 a=f/m*n ;?;缺陷;位错：一系列连续的点缺陷贯穿晶体某一区域,就形成了位错