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薄膜的结构和缺陷——薄膜的缺陷 薄膜的结构和缺陷——薄膜的缺陷 层错缺陷 薄膜的结构和缺陷——薄膜的缺陷 薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法 ★ 薄膜结构与组分的分析方法 表面分析技术是人们为了获取表面的物理、化学等方面的信息而采用的一些实验方法和手段。 Sample Excitation source Signal Detector Event 薄膜微观结构： （1）薄膜表面和横断面的形貌。 （2）薄膜内部的结晶构造。 入射电子 Auger电子 阴极发光 背散射电子 二次电子 X射线 样　　品 透射电子 入射电子与样品相互作用后，使样品原子较外层电子（价带或导带电子）电离产生的电子，称二次电子。 各种信息的作用深度 从图中可以看出，俄歇电子的穿透深度最小，一般穿透深度小于1nm，二次电子小于10nm。 扫描电子显微镜（ Scanning Electron Microscope（ SEM））分析 它是用细聚焦的电子束轰击样品表面，通过电子与样品相互作用产生的二次电子、背散射电子等对样品表面或断口形貌进行观察和分析。 扫描电镜的主要结构： 　　主要包括有电子光学系统、扫描系统、信号检测放大系统、图象显示和记录系统、电源和真空系统等。 扫描电镜成像示意图 形貌衬度原理 薄膜的结构和缺陷—薄膜结构与组分的分析方法 X-射线光电子能谱 XPS: X-ray Photoelectron Spectroscopy XPS也叫ESCA（ Electron Spectroscopy for Chemical Analysis），是研究表面成分的重要手段。原理是光电效应（photoelectric effect）。1960’s 由University of Uppsala, Sweden 的Kai Siegbahn等发展。 XPS的仪器 XPS的仪器 1电磁波使内层电子激发，并逸出表面成为光电子，测量被激发的电子能量就得到XPS， 不同元素种类、不同元素价态、不同电子层(1s, 2s, 2p等)所产生的XPS不同。 KE = hv - BE 2 被激发的电子能量可用下式表示： KE = hv - BE - ?spec 式中 hv=入射光子（X射线或UV）能量 h=Planck constant ( 6.62 x 10-34 J s ), v - frequency (Hz) BE=电子键能或结合能、电离能（Electron Binding Energy） KE=电子动能 （Electron Kinetic Energy） ?spec= 谱学功函数或电子反冲能 （Spectrometer Work Function），谱学功函数极小，可略去， 得到 XPS原理： 3 元素不同，其特征的电子键能不同。测量电子动能KE ，就得到对应每种元素的一系列BE-光电子能谱，就得到电子键能数据。 4 谱峰强度代表含量，谱峰位置的偏移代表价态与环境的变化-化学位移。 1激发光源——X射线（软X射线；Mg Kα : hv = 1253.6 eV；Al Kα : hv = 1486.6 eV）或UV； 2电子能量分析器-对应上述能量的分析器，只可能是表面分析； 3高真空系统：超高真空腔室super-high vacuum chamber（ UHV避免光电子与气体分子碰撞的干扰。 XPS的仪器 XPS（X射线光电子能谱）的原理是用X射线去辐射样品，使原子或分子的内层电子或价电子受激发射出来。被光子激发出来的电子称为光电子。可以测量光电子的能量，以光电子的动能为横坐标，相对强度（脉冲/s）为纵坐标可做出光电子能谱图。从而获得试样有关信息。X射线光电子能谱因对化学分析最有用，因此被称为化学分析用电子能谱（Electron Spectroscopy for Chemical Analysis）。其主要应用：1，元素的定性分析。可以根据能谱图中出现的特征谱线的位置鉴定除H、He以为的所有元素。2，元素的定量分析。根据能谱图中光电子谱线强度（光电子峰的面积）反应原子的含量或相对浓度。3，固体表面分析。包括表面的化学组成或元素组成，原子价态，表面能态分布，测定表面电子的电子云分布和能级结构等。4，化合物的结构。可以对内层电子结合能的化学位移精确测量，提供化学键和电荷分布方面的信息。5，分子生物学中的应用。Ex：利用XPS鉴定维生素B12中的少量的Co。 钯的XPS（XPS spectrum obtained from a Pd metal sample using Mg?Ka radiation) ; 主峰在330, 690, 720, 910 a