溅射薄膜沉积详解.docVIP

溅射薄膜沉积 ⊙薄膜 在基片上形成的厚度从单原子层到约5μm的物质。 ----特点：具有不同于固体块材的表面效应。 ⊙各种沉积薄膜的技术 ⊙溅射产生背景：辉光放电，异常辉光放电中，放电装置壁沉积导电薄膜。 ⊙定义：荷能粒子轰击固体材料，使材料以原子状态从表面逸出的现象。 荷能粒子：离子、原子或分子（电子？） 表面作用：溅射----唯一? ⊙溅射历史 ●1853年：法拉第气体放电实验，发现沉积现象， 但没有引起重视。 ●1902年：证实膜是正离子轰击阴极的溅射产物 ●1960：Bell实验室溅射沉积IC中Ta膜 ●1965年：IBM采用 rf溅射沉积绝缘膜 ●1969年：三级溅射 ●1974年：平面磁控溅射 ⊙溅射产生条件： 被轰击物质-----任何物质 入射粒子阈能---克服结合力，结合能 ⊙溅射产生过程：入射离子----碰撞靶原子----原子离位----级连碰撞----到达表面----离开表面 溅射阈能：引起靶材原子发生位移的入射粒子的最小能量 入射原子 靶材 He+ Ar+ K+ Xe+ 入射原子 靶材 He+ Ar+ K+ Xe+ Be 12 15 15 15 Mo 24 24