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超高密度电阻率法 (简介) 葛为中 折京平 广西地球物理学会 澳大利亚ZZ Resistivity Imaging研发中心 西安澳立华勘探技术开发有限公司 2009.1 高密度电阻率法的发展 高密度电阻率法成果不能再局限于视电阻率断面图,必须进行反演获得电阻率真断面图; 高密度电法可突破原有单装置程式化的局限框框,开发“泛装置”电法观测、解释体系; 高密度电法适用领域不局限于地面,可扩展到井地、井间。 视电阻率拟断面图的不确定性 观测所得视电阻率数据 ?s,是电极系控制区域内地下电性不均匀体和地形起伏的“综合反映”。而在?s拟断面图上,人为地将它“集中”表示为水平位置x,深度z点位上的视电阻率值 ,进而绘制出视电阻率等值线断面图。 拟断面图横坐标是记录点位置,取决于该装置的规定(如对称四极在MN的中点,偶极装置在BM的中点)。不同装置的视电阻率记录点横向位置相差较大。拟断面图的纵坐标与电极距有函数关系,高密度法用算术坐标,电测深选用对数坐标或算术坐标,也可用平方根坐标。不同类型的纵坐标突出不同深度的异常,而电极距与深度的关系较为复杂.同一个地电断面不同装置 ?s拟断面图相差较大: 模型一 模型一几种装置视电阻率断面图 反演电阻率真断面图 高密度电阻率法二维反演技术已基本成熟。国内、外电阻率法二维反演技术用于电法勘探生产实践。 电阻率法断面资料反演获得电阻率分布断面,其点位的纵、横坐标对应于实际断面。点位上的电阻率,为该点小单元区域内反演后“真”电阻率。因此这种断面图上,水平位置(X)、深度(Z)和电阻率(?)都是比较确定的,可称之为“电阻率真断面图”,简称为电阻率断面。在同一个地电断面上,不同装置反演后的电阻率真断面图相差不大。 模型一反演电阻率真断面图 现有高密度电法装置程式化的局限性 高密度电法测线布设几十根的电极阵,实用往往只测单一装置,反演得该装置的电阻率真断面图。有时先后用两三种装置实测,每种装置分别反演,所获得的电阻率真断面图虽比较相似,但还存在不同之处。若能将多种装置实测数据一起反演,电阻率真断面图更可靠,但其软件尚未见到。现有高密度系统,受装置程式化模式框框限制,未能充分利用电极阵。 高密度泛装置电阻率测量和反演成像 新型测量系统在电极阵布置后,尽可能进行各种装置测量,包括传统和不对称的任意装置。突破原有程式化装置模式的束缚。 在已布电极阵范围内,这A、B、M、N四种电极的间距较任意,不规定必须对称或等间隔。这样装置远不至十种,少则几十种。实测时不必分装置方式观测,可混合观测。由多通道采集器在A、B、M极选定后,所有N极采集。测量AB极间的供电电流I和所有MN极间的电位差dV,获得观测数据dV/I。不再计算装置系数和视电阻率。依次逐一变更M、B、A点位……,进行所需范围四极泛装置情况的一系列数据采集。信号很少的情况可舍弃。 四极泛装置 F4 高密度电极阵上 A、B极以外 全为M或N 鉴于其装置广泛,笔者称之为“泛装置高密度电阻率成像系统”。其四极泛装置(取“泛”的首个拼音字母F,简称F4装置)的测量极M、N允许在供电极A、B点位之外的电极阵列任一点位,A、B、M、N电极的次序和间距较任意,不规定必须对称或等间隔,也不规定MN≤AB。如F4可能允许有Fα、Fβ、Fγ、Fδ四种排列: Fα: A M N B Fβ: A B M N |||||||||||||| |||||||||||||| Fγ: A M B N Fδ: M A B N |||||||||||||| |||||||||||||| Fα、Fβ、Fγ的对称等间隔特殊情况,就是三电位的α、β、γ排列。所以可认为常用的装置就将四个电极排列成某种特定的位置关系。而泛装置比较自由任意,也广泛得多,,装置类型不止十余种。 新型电阻率测量和反演成像系统 赴澳大利亚留学多年的博士后折京平 ( Australia ZZ Resistivity lmaging Pty Ltd,公司)等2004年研
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