宽带隙半导体材料与紫外光探测器分析报告.pptx

宽禁带半导体材料紫外光探测器;随着科技发展，紫外侦测技术越来越多的在军事、工业、民用等方面得到愈发广泛的应用 ;军事上，导弹预警、制导、紫外通讯、生化分析等方面都有紫外探测的需求;在民用上，明火探测、生物医药分析、臭氧检测、海上油监、太阳照度检测、公安侦查等;光探测器的原理： 采用对光敏感的器件作传感器，检测入射的光功率并把其变化转化为相应的电流。一般要满足四点要求 （1）在系统工作要求的波长区域范围内，有高的量子效率； （2）响应速度快； （3）具有好的线性输入-输出性质； （4）能在需要的环境下可靠的工作;紫外光的侦测(200～400nm) 由于臭氧等气体对紫外线的强烈吸收，λ280nm的紫外线无法穿过大气层，故200~280nm的紫外称为日盲（Solar Blind）紫外;汇报内容;半导体及其带隙;半导体材料可分为三类：;P型半导体原子结构示意图;N型半导体原子结构示意图;半导体的发展;与带隙相关的半导体物理 能级 能带 孤立原子中核外电子按一定壳层排列，每个壳层上的电子具有分立的能量值（能级）；大量原子集合在一起，电子共有化，电子的能量值不再单一而有一个波动范围（能带） ;对于半导体，所有价电子所处的能带为价带（Valance Band，Ev），比价带能量更高的能带是导带（Conduction Band，Ec） 禁带（Forbidden Band/Band Gap） Ec与Ev之间的能量间隔，其大小决定材料导电性能的强弱，若过大则为绝缘体;块体材料与纳米材料在带宽上的差异： 对同一种材料而言，其纳米结构的带隙相比块体状态要更宽，展宽量与颗粒的尺寸成反比。其宏观表现为：随纳米颗粒尺寸的减小，吸收带边发生蓝移;本征半导体的导电 0 K 下半导体价带填满，导带全空，此时为绝缘体 升温，电子由价带被热激发到导带，此时可导电 ; 影响本征电导率的主要因素（载流子浓度） 带隙 Eg ：带隙越大，电子由价带被激发到导带越难 温度 T ：温度越高，被激发到导带的电子浓度就越大 宽带隙半导体即带隙大（ Eg 2.3eV）的半导体 ;汇报内容;宽禁带材料的特点;由上述特点，非常适于制作高温、高频、抗辐射、大功率和高密度集成的电子器件 此外，其较宽的带隙对蓝绿光或紫外光非常敏感，可据此制作相应的发光器件及光探测器，汇报选题即由此而来;汇报内容;具有宽禁带的半导体材料;半导体材料;汇报内容;合成方法总述;合成方法总述;合成方法总述;合成方法总述;汇报内容;气相合成;气相法主要有两种机制——VLS及VS VLS(Vapor-Liquid-Solid)汽液固机制（有催化剂） VLS法是制备无机材料的纳米线最广泛的方法，可用来制备的纳米线体系包括元素半导体(Si，Ge），III-V族半导体(GaN，GaAs，GaP，InP，InAs)，II－VI族半导体(ZnS，ZnSe，CdS，CdSe），以及氧化物(ZnO，Ga2O3，SiO2)等。;生长过程1：催化剂与气相反应物碰撞、聚集形成合金液滴；2：过饱和后开始成核；3：欠饱和的液滴继续吸收气相并成核，在液滴约束下成长为一维结构的纳米线;VLS机制的主要特点为催化剂，在合成的纳米结构顶端会有催化剂纳米颗粒的形成。常以此区别VLS和VS机制;VLS机制中，常采用激光烧蚀法、热蒸发法以及金属有机化学气相沉积法 激光烧蚀法（laser ablation）是利用激光在特定气氛下轰击靶材，将催化金属和目标材料的原材料一同用激光蒸发，同时结合一定气体，在衬底或反应腔壁上沉积纳米材料;热蒸发法（thermal evaporation）：将一种或几种反应物，在高温区通过加热形成蒸汽，然后用惰性气体运送到反应器低温区，从而生长准一维纳米材料;金属有机化学气相沉淀法（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition）：利用金属有机物分解温度较低的特点，在较低温度下产生足够蒸汽压形成气相反应物 存在缺陷： 1.不是所有半导体化合物都可找到合适的有机金属前驱体，普适性较差； 2.前驱体合成困难、昂贵，不利于大规模制备； 3.常伴随有毒气体，需配备相应吸收装置;VS机制（Vapor-Solid）则是在无催化剂的条件下、不经过合金液滴成核的过程，直接利用端部的螺旋位错不断单向生长直至形成（准）纳米线的另一种气相沉积机制。这种机制的显著特点为有螺旋位错贯穿整个纳米线的生长;气相合成;汇报内容;一直以来, 高灵敏紫外探测多采用对紫外敏感的光电倍增管和类似的真空器件。紫外增强型硅光电二极管是固体探测器的代表。二者技术虽然日益成熟，但均存在无法回避的缺陷 ;——随着半导体材料的发展，采用宽禁带半导