电子元器件认识初步精要.ppt

舟山市东海中学 舟山市东海中学 舟山市东海中学 舟山市东海中学 舟山市东海中学 舟山市东海中学 舟山市东海中学 舟山市东海中学 电子控制技术 ---认识电子元器件 考试内容 考试要求 电子元器件 ①常用电阻器、电容器、电感器的外形特征、电路符号与标称值 ②常见二极管及电路符号、特性，正负电极的判断 ③常用的三极管及电路符号，三极管三个电极、电流放大作用及三个工作区 b b b 电阻器(resistor) 基本单位：欧姆、欧，符号：?，常用单位K?、M?。 相关知识 R=U/I 串：R=R1+R2 并：1/R=1/R1+1/R2 1.固定电阻 2.可变电阻 3.其它电阻 热敏电阻 (NTC、PTC) 光敏电阻 电阻器(resistor) 标称阻值 电阻器(resistor) 阻值标注 1. 直标法 2.色标法 3.数码标示法 电阻器(resistor) 色环电阻判别要点 1、最靠近电阻引线一边的色环为第一色环 2、两条色环之间距离最宽的边色环为最后一条色环 3、最宽的边色环为最后一条色环 4、四环电阻的偏差环一般是金或银 5、有效数字环无金、银色。 （解释：若从某端环数起第1、2环有金或银色，则另一端环是第一环。） 6、偏差环无橙、黄色。（解释：若某端环是橙或黄色，则一定是第一环。） 7、试读：一般成品电阻器的阻值不大于22MΩ，若试读大于22MΩ，说明读反。8、五色环中，大多以金色或银色为倒数第二个环 。 电容器(capacitor) 结构：二个靠得很近的金属片(箔)组成，中间用绝缘材料(电介质)隔开。 相对面积越大或间距越小，则电容越大，同时也与电介质有关。 作用：隔离直流，耦合变化的信号(隔直流，通交流)。 基本单位：法拉(F) 常用单位 微法(?F)、皮法(pF) 相关知识：Z=1/(?C) =1/(2?fC) C=εS/d 并: C=C1+C2 串:1/C=1/C1+1/C2 1.无极性电容 2.极性电容 3.可变电容 使用时关注 耐压及极性 电感器(inductor) 结构：用导线(铜)绕成线圈。中间有空心的、铁芯、磁芯等。 基本单位：亨利(H)，常用单位 mH、?H 相关知识 感抗 Z=?L =2?fL 品质因素 Q= ?L/R 电路符号 半导体 相关知识：本征半导体 N型半导体 P型半导体 二极管(diode)的结构与符号 半导体 相关知识：本征半导体 N型半导体 P型半导体 二极管(diode)的结构与符号 二极管的特性：单身导电性 材料 开启电压 举例 发光二极管 稳压二极管 主要参数：击穿电压、最大工作电流、工作频率 半导体 半导体三极管(transistors) 又称 晶体三极管 、三极管 结构与电路符号 PNP NPN 发射区的掺杂浓度最高； 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 半导体 半导体 三极管的特性曲线 共射极连接 1. 输入特性曲线 2. 输出特性曲线 截止区：iB=0的曲线的下方。此时， iC接近零，vBE小于死区电压。 饱和区：iC明显受vCE控制，不受iB 的影响。此区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)。 放大区：iC=?iB， iC基本平行于vCE轴的区域。此时，发射结正偏，集电结反偏。 ie= iB + iC iC = ?iB 主要参数：击穿电压、集电极最大工作电流、最大功率、工作频率 半导体 晶闸管（可控硅 有单、双向） 单向可控硅及应用 双向可控硅及应用 P129 考试内容(多用电表) 考核要求 ①多用电表基本操作，电阻、直流电流、直流电压、交流电压的测量，相关的测量数据的识读 C ②多用电表检查半导体二极管电极及好坏，判断三极管好坏 C 舟山市东海中学 舟山市东海中学 舟山市东海中学 舟山市东海中学 舟山市东海中学 舟山市东海中学 舟山市东海中学 舟山市东海中学