半导体物理学第四章.教案分析.ppt

小结：半导体中的总漂移电流密度为 n型半导体 np p型半导体 pn 本征半导体 n=p=ni 纵声学波相邻原子振动相位一致，结果导致晶格原子分布疏密改变，产生了原子稀疏处体积膨胀、原子紧密处体积压缩的体变。 原子间距的改变会导致禁带宽度产生起伏，使晶格周期性势场被破坏，如图所示。 小结：多种散射机构同时存在时，起主要作用的散射机构所决定的平均自由时间最短，散射几率最大，迁移率主要由这种散射机构决定。 电离杂质散射 声学波散射 光学波散射 Fig4-15电阻率与掺杂的关系 N型半导体 P型半导体 §4.7 耿氏效应 多能谷散射 Gunn effect was discovered by J.B Gunn in IBM : 1963 “Above some critical voltage, corresponding to an electric field of 2000~4000 V/cm, the current in every spectrum (GaAs) became a fluctuating function of time” Schematic diagram for n-type GaAs diode 耿氏效应 耿氏效应 n-GaAs外加电场强度超过 时，半导体内的电流以 的频率发生振荡 Drift velocity of electrons decrease when electric field excess certain value Threshold electric field about 3000V/cm for n-type GaAs. Drift velocity of electrons in GaAs bulk Vs electric field According to the energy-band theory of n-type GaAs, there are two valleys in the conduction band Effective mass of electron is given by: Effective mass of electron is given by: Rate of change of the valley curves slope Since the lower valley slope is shaper then the one in upper valley, thus electron effective mass in lower valley is higher then that in upper valley So that, the mobility of electron in upper valley is less due to the higher effective mass The current density vs E-field according to equation §4.7 耿氏效应 多能谷散射 §4.7 耿氏效应 多能谷散射 §4.7 耿氏效应 多能谷散射 §4.7 耿氏效应 多能谷散射 §4.7 耿氏效应 多能谷散射 §4.7 耿氏效应 多能谷散射 §4.7 耿氏效应 多能谷散射 §4.7 耿氏效应 多能谷散射 §4.7 耿氏效应 多能谷散射 §4.7 耿氏效应 多能谷散射 §4.7 耿氏效应 多能谷散射 §4.7 耿氏效应 多能谷散射 当加在GaAs晶体上的电压增加时，晶体中某处（一般在阴极附近）先达到阈值电场，该处电子的平均速度则下降，于是产生电子的积累。初始的积累区外电子速度没有下降，这使得在积累区的电子运动方向一侧，由于电子较快移动而产生电子的耗尽。电子积累区与耗尽区形成偶极区，它产生的电场与外加电场的方向一致，因而形成高场区，这一高场区进一步促使电子的转移，更多电子转移又使高场区的电场进一步增加，这一过程一直进行到晶体内电场的积分等于外加偏压高场区达到稳定为止，而称此高场区为高场畴。随着电子的运动，高场畴逆着电场方向朝阳极渡越。晶体内高场 畴的产生使畴外电场下降，因而使通过晶体的电流I下降。当高场畴渡越到阳极并消失时,电流恢复到原来值，很快阴极又出现新的高场畴。高场畴的这种周而复始的产生、渡越、消失的过程，在外电路中产生电流的振荡波形。这就是转移电子器件中的偶极畴渡越时间模式。 1963年J.B.耿在一N型 GaAs中发现了这种高频振荡，因此这种转移电子器件也叫作耿氏器件。它的振荡频率是由晶体的厚度和电子在GaAs中的漂移