半导体物理学第一章.教案分析.pptVIP

（3）B沿[100]方向，则与[100](二)方向交角均给出 ，与[010](二)、[001](二)方向有 （4）B沿任意方向，与100交角有三种不同的 ，因而有三个吸收峰。 2.价带结构 硅、锗的价带结构也是复杂的。价带顶位于k＝0处，能带是简并的。如果不考虑自旋，硅、锗价带是三度简并的；考虑自旋，价带是六度简并的。如果考虑自旋－轨道耦合，可分解为一组四度简并和一组二度简并。 四度简并能量为： 二度简并能量为： 重空穴 轻空穴 硅、锗的禁带宽度随温度变化。在T＝0k时，硅、锗的禁带宽度分别接近1.170eV和0.7437eV。随温度升高，禁带收缩。 1.锗和硅的能带结构 Ge：导带最低能值位于[111]方向布里渊区边界上，共有8个等价点每一个等价点在简约布里渊区只有半个能谷，共有4个等价谷，在k=0和 100方向还有较高的能谷。 Si：导带极小值在k空间[100]方向，但不在布里渊区的边界而在布里渊区中心到边界距离的0.85倍处，共有6个等价的能谷。 Ge和Si的价带极大值均位于布里渊区的中心（k=0），价带中空穴主要分布在极大值附近，对应同一k值，E(k)可以有两个值，k=0处，能量重合，表明存在有效质量不同的空穴。 曲率小→有效质量大→重空穴→(mp)h 曲率大→有效质量小→轻空穴→(mp)l (2) 价带 (1) 导带 Ge, Si的导带具有多能谷结构 Eg(T)=Eg(0)+βT 大多数半导体禁带宽度随T↑而↓ Eg(0)：T=0K时禁带宽度， （一般小于0） (3) (4) 间接带隙半导体 像Si，Ge一样半导体，其导带底和价带顶在k空间处于不同的k值。 2.砷化镓能带结构（研究和应用较多） 极小值k=0处，等能面为球面 = 0.067m0 [111] 价带中心简并 砷化镓的能带结构 重空穴带V1，轻空穴带V2 自旋轨道耦合 (1) 导带 (2) 价带 = 0.55m0 = 0.856m0 [100] 3.宽禁带半导体材料（禁带宽度≥2.3eV） SiC 金刚石 Ⅱ族氧化合物 Ⅱ族硫化合物 Ⅱ族硒化合物 Ⅲ族氮化合物 合金 重点：SiC ，GaN及III族氮化合物 特点：禁带宽度大、热导率高、介电常数低、电子漂移饱和速度高，适合于制作高频、高功率、高温、抗辐射和高密度集成的电子器件；制作蓝光、绿光、紫外光发光器和光探测器。 1.2半导体中的电子状态和能带 半导体材料大都是单晶体。单晶体是由靠得很紧密的原子周期性重复排列而成，相邻原子之间间距在nm量级，因此半导体中电子状态肯定和单原子的电子状态有所不同。 电子的共有化运动 共有化运动的能量 原子能级分裂为能带的示意图 金刚石型结构价电子能带示意图 导带 价带 禁带 晶体中的原子与孤立原子的电子不同，也和自由运动的电子不同。 半导体中电子的状态和能带 单电子近似认为，晶体中某一个电子是在周期性排列且固定不动的原子核势场和其他大量电子的势场中运动。 研究发现，电子在周期性势场中运动的基 本特点和自由电子运动十分相似。 自由电子的运动 设电子质量为m0，以速度v自由运动。 晶体中电子的运动 布洛赫证明：满足上式的波函数一定具有以下形式： 1、晶体中的电子是以一个被调幅的平面波在晶体中传播； 2、晶体中电子的共有化运动；准自由电子； 3、波矢描述共有化运动。 布洛赫波函数 布里渊区与能带 简约布里渊区与能带 金刚石型结构的第一布里渊区 导体、半导体、绝缘体的能带 (a) 绝缘体 (b) 半导体 (c) 导体 1.3 半导体中电子的运动 有效质量 E(k)和k之间的关系 之前只给出了一个定性的关系，对E(k)和k的关系式并不清楚。 通常半导体中，起作用的是导带底或价带顶的电子，需考虑能带极值附近E(k)和k的关系。 设能带底位于 能带底部附近的k值必然很小 能带底的电子有效质量 同样，设能带顶也位于 则在能带顶部附近可得到 半导体中电子的平均速度 自由电子 半导体中的电子 能带极值附近 半导体中电子的加速度 外加电场为E时，电子受作用力f＝-q*E的作用力。在dt时间内，电子位移了一段ds，外力做功等于能量的变化，即： 在外力作用下，电子的波矢不断改变。 有效质量的意义 半导体中的电子即使在没有外加电场作用下，也要受到半导体内部原子及其他电子的势场作用。 1.4 本征半导体的导电结构 空穴 设电流密度为J，则 空穴具有正电荷＋q，还有正的有效质量。 电子和空穴均参与导电，这是半