实验一SCRGTOMOSFETGTRIGBT特性实验.docVIP

实验一 SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT 特性实验 实验目的 (1)掌握各种电力电子器件的工作特性。 (2)掌握各器件对触发信号的要求。 二、实验所需挂件及附件 序号 型　　号 备　　　注 1 DJK01 电源控制屏 该控制屏包含“三相电源输出”，“励磁电源”等几个模块。 2 DJK06 给定及实验器件 该挂件包含“二极管”以及“开关”。 3 DJK07 新器件特性实验 4 万用表 实验线路及原理 实验线路如图： 图3-24 新器件特性实验原理图 将电力电子器件和负载电阻R串联后接至直流电源的两端，由DJK06上的给定为新器件提供触发信号，使器件触发导通。图中的电阻R用DJK06 上的灯泡负载，直流电压和电流表可从DJK01电源控制屏上获得，电力电子器件在DJK07挂箱上，直流电源从电源控制屏的励磁电源取得。 四、实验内容 (1)晶闸管（SCR）特性实验。 (2)可关断晶闸管（GTO）特性实验。 (3)功率场效应管（MOSFET）特性实验。 (4)大功率晶体管（GTR）特性实验。 (5)绝缘双极性晶体管（IGBT）特性实验。 五、预习要求 阅读电力电子技术教材中有关电力电子器件的章节。 六、思考题 各种器件对触发脉冲要求的异同点？ 七、实验方法 (1)按图3-24接线，将晶闸管（SCR）接入电路，在实验开始时，将给定电位器沿逆时针旋到底，关闭励磁电压。按下“启动”按钮，打开DJK06的开关，然后打开励磁开关，缓慢调节给定输出，同时监视电压表、电流表的读数，使之指示接近零（表示管子完全导通），记录给定电压Ug、回路电流Id以及器件的管压降Uv。 Ug Id Uv (2)将晶闸管换成可关断晶闸管（GTO），重复上述步骤，并记录数据。 Ug Id Uv (3)换成功率场效应管（MOSFET），重复上述步骤，并记录数据。 Ug Id Uv (4)换成大功率晶体管（GTR），重复上述步骤，并记录数据。 Ug Id Uv (5)换成绝缘双极性晶体管（IGBT），重复上述步骤，并记录数据。 Ug Id Uv 八、实验报告 根据得到的数据，绘出各器件的输出特性。 九、注意事项 可参考实验六的注意事项 (1)。 132