课题六半导体基本知识分析.ppt

通常将很容易导电、电阻率小于10-4 Ω·cm的物质称为导体，如铜、铝、银等金属材料； 将很难导电、电阻率大于1010 Ω·cm的物质称为绝缘体，如塑料、橡胶、陶瓷等材料； 将导电能力介于导体和绝缘体之间、电阻率在10-4～1010 Ω·cm范围内的物质称为半导体。 常用的半导体材料是硅(Si)和锗(Ge)。 用半导体材料制作电子元器件，不是因为它的导电能力介于导体和绝缘体之间，而是由于其导电能力会随着温度的变化、光照或掺入杂质的多少发生显著的变化，这就是半导体不同于导体的特殊性质。 （一）热敏性 （二）光敏性 （三）杂敏性 二、本征半导体 原子由原子核和电子构成，原子核由带正电的质子和不带电的中子构成，电子带负电并围绕原子核旋转。电子以不同的距离在核外分层排布，距核越远，电子的能量越高，最外层的电子被称为价电子，物质的化学性质就是由价电子的数目决定的。 三、杂质半导体 本征半导体的电阻率比较大，载流子浓度又小，且对温度变化敏感，因此它的用途很有限。在本征半导体中，人为地掺入少量其他元素（称杂质），可以使半导体的导电性能发生显著的变化。利用这一特性，可以制成各种性能不同的半导体器件，这样使得它的用途大大增加。 四、PN结 如果将一块半导体的一侧掺杂成为P型半导体，而另一侧掺杂成为N型半导体，则在二者的交界处将形成一个PN结。 （一）PN结的形成 在P型和N型半导体的交界面两侧，由于自由电子和空穴的浓度相差悬殊，因此N区中的多数载流子自由电子要向P区扩散，同时P区中的多数载流子空穴也要向N区扩散，并且当电子和空穴相遇时，将发生复合而消失，如图6-5所示。 一般来说，空间电荷区的宽度很薄，约为几微米至几十微米；由于空间电荷区内几乎没有载流子，其电阻率很高。 （二）PN结的单向导电性 在PN结的两端引出电极，P区的一端称为阳极，N区的一端称为阴极。在PN结的两端外加不同极性的电压时，PN结表现出截然不同的导电性能，称为PN结的单向导电性。 1.在外加正向电压时PN结处于导通状态 当外加电压使PN结的阳极电位高于阴极时，称PN结外加正向电压或PN结正向偏置（简称“正偏”），如图6-6所示。 所以，外电场驱使P区的多子进入空间电荷区抵消一部分负空间电荷，也使N区的多子电子进入空间电荷区抵消一部分正空间电荷，其结果是使空间电荷区变窄，PN结呈现低电阻（一般为几百欧姆）；同时由于扩散运动占主导，形成较大的正向电流（mA级），此时PN结导通，相当于开关的闭合状态。 2.在外加反向电压时PN结处于截止状态 当外加电压使PN结的阳极电位低于阴极时，称PN结外加反向电压或PN结反向偏置（简称“反偏”），如图6-7所示。 此时，外加电场Eout与内电场Ein的方向一致，并与内电场一起阻止扩散运动而促进漂移运动。其结果是使空间电荷区变宽。PN结呈现高电阻（一般为几千欧姆至几百千欧姆）。 同时由于漂移运动占主导，而少子由本征激发产生，数量极少，因此由少子形成的反向电流很小（μA级），近似分析时可忽略不计。 此时PN结截止，相当于开关的断开状态。 在一定温度下，当外加反向电压超过某个值（大约零点几伏）后，反向电流将不再随外加反向电压的增加而增大，所以又称其为反向饱和电流Is。 学习情境2 了解半导体二极管的基本知识 在一个PN结的两端加上电极引线并用外壳封装起来，就构成了半导体二极管。由P型半导体引出的电极，叫做正极(或阳极)，由N型半导体引出的电极，叫做负极(或阴极)。通常用如图6-8（c）所示的符号表示。 按照结构工艺的不同，二极管有点接触型和面接触型两类。它们的管芯结构和符号如图6-8所示。 半导体二极管的种类和型号很多，可以用不同的符号来代表它们，如2AP9，其中“2”表示二极管，“A”表示采用N型锗材料为基片，“P”表示普通用途管(P为汉语拼音字头)，“9”为产品性能序号；又如2CZ8，其中“C”表示由N型硅材料作为基片，“Z”表示整流管。 一、二极管的伏安特性