高端精密设备仪器分析退火、薄膜、电镀设备用途及市场分析资料精要.ppt

金属有机化学气相沉积MOCVD 又称金属有机气相外延 (MOVPE)，它是利用有机金属热分解进行气相外延生长的先进技术，目前主要用于化合物半导体薄膜气相生长上。 MOCVD法原理 MOCVD方法是利用运载气携带金属有机物的蒸气进入反应室，受热分解后沉积到加热的衬底上形成薄膜。它是制备铁电薄膜的一种湿法工艺。 MOCVD设备 有机金属化学气相沉积 MOCVD系统的组件可大致分为：反应腔、气体控制及混合系统、反应源及废气处理系统。 MOCVD法的特点 此法的主要优点是： 1)较低的衬底温度； 2)较高的生长速率； 3)精确的组分控制； 4)易获得大面积均匀薄膜； 5)可在非平面底上生长、可直接制备图案器件、易于规模化和商业化。 3、电镀 定义1：电镀一层更厚的薄膜 定义2：用电镀的方式起到集成 电路的互连作用 什么是集成电路互连技术 所谓的集成电路互连技术，就是将同一芯片内各个独立的元器件通过一定的方式，连接成具有一定功能的电路模块的技术。 集成电路对互连金属材料的要求 具有较小的电阻率 易于沉积和刻蚀 具有良好的抗电迁移特性 电迁移现象 电迁移现象是集成电路制造中需要努力解决的一个问题。特别是当集成度增加，互连线条变窄时，这个问题更为突出。 * 高端精密设备仪器分析---退火、薄膜、电镀设备用途及市场分析 产业链 集成电