数电 第一节 标准TTL与非门.pptVIP

内容概述 双极型集成逻辑门 MOS集成逻辑门 集 成 逻 辑 门 按器件类型分 按集成度分 SSI：＜100个等效门 MSI：＜103个等效门 LSI ：＜104个等效门 VLSI：＞104个以上等效门 本章内容： 集成逻辑门的基本结构、工作原理； 集成逻辑门的外部特性、参数及其接口电路。 TTL、ECL I2L、HTL PMOS NMOS CMOS 第一节 标准TTL与非门 TTL与非门电路组成 TTL与非门工作原理 TTL与非门工作速度 TTL与非门外特性及主要参数 TTL标准与非门的改进型 TTL集成电路产品 TTL与非门电路组成 输出级由D3、T4、T5和电阻R4组成。T4与T5组成推拉式输出结构，具有较强的负载能力。 输入级由多发射极晶体管T1、二极管D1、D2和电阻R1组成。实现输入变量A、B的与运算。 中间级由T2、R2和R3组成。T2的集电极C2和发射极E2分别提供两个相位相反的电压信号。 TTL与非门工作原理 ? 输入端至少有一个（设A端）接低电平： 0.3V 3.6V 1V 3.6V T1管:A端发射结导通，UB1 = UA + UBE1 = 1V，其它发射结反偏截止。 ? （5-0.7-0.7）V = 3.6V 因为UB1 =1V, 所以 T2、T5截止, UC2≈Ucc=5V。 T4：工作在放大状态 5V 电路输出高电平： ? 输入端全接高电平： 3.6V 2.1V 0.3V T1:UB1= UBC1+UBE2+UBE5 = 0.7V×3 = 2.1V 电路输出低电平：UOL = 0.3V 3.6V T1：发射结反偏，集电极正偏，工作在倒置放大状态且T2 、T5导通。 T2：工作在饱和状态 T4：UC2 = UCES2 + UBE5 ≈1V，T4截止。 T5：处于深饱和状态 TTL与非门工作原理 ? 输入端全接高电平，输出为低电平。 ? 输入端至少有一个接低电平时，输出为高电平。 由此可见，电路的输出与输入之间满足与非逻辑关系： TTL与非门工作原理 T1：倒置放大状态 T2：饱和状态 T4：截止状态 T5：深度饱和状态 T1：深度饱和状态 T2：截止状态 T4：放大状态 T5：截止状态 TTL与非门的外特性及主要参数 外特性：指的是电路在外部表现出来的各种特性。掌握器件的外特性及其主要参数是用户正确使用、维护和设计电路的重要依据。 介绍手册中常见的特性曲线及其主要参数。 TTL与非门的外特性及主要参数 （一）电压传输特性 TTL与非门输入电压UI与输出电压UO之间的关系曲线，即 UO = f（UI）。 截止区：当UI≤0.6V，Ub1≤1.3V时，T2、T5截止，输出高电平UOH = 3.6V。 饱和区：UI?1.4V，T1进入倒置工作状态Ub1=2.1V，此时T2、T5饱和，T4截止，输出低电平UOL = 0.3V ，且UO不随UI的增大而变化。 线性区：当0.6V≤UI≤1.3V，0.7V≤U b2＜1.4V时，T2导通，T5仍截止，UC2随Ub2升高而下降，经T4射随器使UO下降。 转折区：当UI≥1.3V时，输入电压略微升高，输出电压急剧下降，因为T2、T4、T5均处于放大状态。 TTL与非门的外特性及主要参数 根据电压传输特性，可以求出TTL与非门几个重要参数：输出高电平UOH和输出低电平UOL 、阈值电压UTH、开门电平UON和关门电平UOFF 、噪声容限等。 1.输出高电平UOH和输出低电平UOL ： AB段所对应的输出电压为UOH 。DE段所对应的输出电压为UOL。 一般要求UOH≥3V，UOL＜0.4V 。 3. 开门电平UON： 开门电平UON也称输入高电平电压UIH，指的是输出电平UO =0.3V时，允许输入高电平的最小值。UON典型值为1.4V，一般产品要求UON≤1.8V。 4. 关门电平UOFF ： 关门电平UOFF也称输入低电平电压UIL，指的是在保证输出电压为额定高电平UOH的90%时，允许输入低电平的最大值。一般产品要求UOFF≥0.8V。 2. 阈值电压UTH： CD段中点所对应的输入电压称为阈值电压UTH，也称门槛电压。 UTH=1.3～1.4V。 低电平噪声容限U NL： 高电平噪声容限U NH： 5. 噪声容限 TTL与非门的外特性及主要参数 噪声容限表示门电路抗干扰能力的参数。 （二）输入特性 输入电流与输入电压之间的关系曲线，即II = f（UI）。 1. 输入短路电流IIS（输入低电平电流IIL） 当UIL = 0V时由输入端流出的电流。 2. 输入漏电流IIH（