70MW多晶生产线要点分析.docVIP

70MW多晶硅太阳能电池片 参考方案 2012-4-21 第一部分： 第二部分： 第三部分： 第四部分： 第部分 生产线整线方案概述 整工艺路线如下： 整线技术规格进料硅片规格 P型多晶，≥99.9999%； ◆尺寸156mm×156mm，0±20μm。 2．2 电池片规格 制绒 扩散 工艺程 技术规格 156mm×156mm） 2．3 湿法刻蚀 PECVD镀膜 cm3，平均电子能量可达1～10ev。由于等离子体存在，促进气体分子的分解、化合、激发和电离，促进反应活性基团的生成，从而降低沉积温度。PECVD在200℃～500℃范围内成膜，远小于其它CVD在700℃～950℃范围内成膜。由于在氨气条件下，提高了活性基因的扩散能力，从而提高薄膜的生长速度和均匀性。在沉积过程中，由于大量的氢存在，起到表面钝化作用。目前在太阳电池行业主要用PECVD设备来淀积氮化硅减反射钝化膜。 氮化硅膜不仅仅有优良的光学性能如折射率接近太阳电池所需的最佳折射率，且有良好的绝缘性、致密性、稳定性和对杂质离子的掩蔽能力。 工艺程 技术规格 156mm×156mm） ； (3) 表观：深蓝色，色调均一。 2．5丝网印刷 该工艺采用全自动丝网印刷机完成背电极、背场、正面栅极的印刷及相应工序的烘干。 工艺流程 技术规格 2．6 烘干/烧结 该工艺采用红外加热的干燥/烧结一体炉对印刷电极后的电池片进