器件GOI及影响它的因素教程详解.pptVIP

器件GOI及其失效原因分析 肖清华 有研半导体材料股份有限公司 Tel:010216 bjxiaoqh@ 主要内容 MOS管结构及GOI定义 GOI失效缘由 GOI的评估 GOI的应变策略 未来的挑战 MOS器件结构及基本工作原理 GOI的定义 GOI失效的缘由 GOI失效的缘由 GOI失效的缘由 GOI失效的缘由 GOI失效的缘由之: GOI失效的缘由之： 颗粒 GOI失效的原因之：COP GOI失效的原因之：COP GOI失效的缘由之：氧沉淀 GOI失效的缘由之：金属杂质 GOI失效的缘由之：有机物 影响GOI的因素之：表面形貌 影响GOI的因素之：表面形貌 影响GOI的因素之：表面形貌 影响GOI的因素之：表面形貌 GOI失效模式 GOI的评估 GOI的评估 GOI的评估 对策strategies 对策 对策： 对策：洁净区和吸杂 对策：外延 对策： 对策：加强监控 对策 未来的挑战 未来的挑战 挑战 挑战 结论 氧化物厚度变化趋势 氧化物介电层越来越薄--?小于5nm。 栅导电机制将可能转为直接隧穿。 导电机制的转变可能导致新的失效模式。 栅氧化物可靠性更加容易受到整个工艺流程的影响，而不仅是氧化物生长步骤。 统计有效地表征栅氧化物可靠性将更困难 * 有研硅股 GOI and the degradation-induced factors ≈ P N