使用ATHENA的NMOS工艺仿真分析.docVIP

§4 工艺及器件仿真工具SILVACO-TCAD 本章将向读者介绍如何使用ATHENA来进行工艺仿真假定读者已经熟悉了硅器件的制造工艺以及MOFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和BJT的基本概念。 创建一个典型的MOSFET输入文件所需的基本操作。a. 创建一个好的仿真网格 b. 演示淀积操作 c. 演示几何刻蚀操作 d. 氧化、扩散、退火以及离子注入 e. 结构操作 f. 保存和加载结构信息 4.1.2 创建一个初始结构 1定义初始直角网格a. 输入UNIX命令： deckbuild-an，以便在deckbuild交互模式下调用ATHENA。在短暂的延迟后，deckbuild主窗口将会出现。如所示，点击File目录下的Empty Document，清空DECKBUILD文本窗口； 图4.1 清空文本窗口b. 在如图所示的文本窗口中键入语句go Athena ； 图4.2 以“go athena”开始接下来要明确网格。网格中的结点数对仿真的精确度和所需时间有着直接的影响。仿真结构中存在离子注入或者形成PN结的区域应该划分更加细致的网格。 c. 为了定义网格，选择Mesh Define菜单项，如图4.3所示。在0.6μm×0.8μm的方形区域内创建非均匀网格 图4.3 调用ATHENA网格定义菜单2 在0.6μm×0.8μm的方形区域内创建非均匀网格 a. 在网格定义菜