变压器2实用技术.docxVIP

一、变压器设计的基础知识准备：  = 1 \* ROMAN I．变压器的寄生参数及其影响 理想变压器和实际变压器的区别在于理想变压器不储存任何能量，但实际上所有变压器都会存储一些能量。 漏感能量表示绕组间不耦合磁通经过的空间存储能量 励磁电感能量表示有限磁导率的磁芯中和两半磁芯结合处气隙存储的能量 在变压器工作时，漏感和励磁电感降低了变压器的效率，在设计变压器是，应尽量减少变压器的漏感。  = 2 \* ROMAN II．温升和损耗 变压器运行时存在损耗，使得线圈和贴心温度升高，线圈中心靠近磁芯表面温度最高，此最大“热点”限制了变压器的温升温升等于变压器热阻和功率损耗的乘积。 磁芯损耗。磁芯磁滞损耗和磁通密度摆幅有关。磁芯涡流损耗实际上是次新材料的电阻损耗，即I^2*R 线圈损耗。低频线圈的损耗是容易计算的。但是高频???圈涡流很难精确确定。 铁氧体磁芯。开关电源变压器磁芯大多数应用铁氧体材料，采用扭绕的多股细导线或利兹线，选取大一号的磁芯。  = 3 \* ROMAN III． 填充系数 设计时应注意： 高压时，为满足绝对安全绝缘要求，线圈端部留边和爬电距离以及绝缘厚度限制，占窗口面积很大的百分比，小变压器更严重课考虑采用加重绝缘的绝缘导线，可不必预留爬电距离。 导线形状不同，窗口利用不同。圆导线排列比叠层排列填充系数高，但线圈导线之间的空隙和导线绝缘占据较大的窗口面积。  = 4 \* ROMAN IV．电路拓扑 电路拓扑的选择对变压器设计有决定性影响。二次侧桥式整流的全桥和半桥变换器利用率最高，因为磁芯是双向磁化，而线圈在整个导通时间都流过电流，线圈充分利用二次侧的带有中心抽头，在一个周期中，总有一个线圈在导通期间没有电流，线圈利用率和效率降低。  = 5 \* ROMAN V．频率 开关频率，即开关驱动脉冲的频率，是输出滤波，输出纹波和输入电流纹波的频率，是控制回路设计的重要依据。变压器和单个功率开关及单个整流器都以变压器频率ft工作，它是开关频率的一半。  = 6 \* ROMAN VI．占空比 占空比D定义为功率开关导通时间ton与开关周期T的比：D=ton/T。当输入电压最低时，占空比还要考虑以下情况对最大占空比的限制。 根据输出电压调节范围，在输入电压最低时应保证输出最高电压，即最大占空比。在输入电压最高，轻载时为最小占空比。 正激变换器在每个开关周期中导通磁化后必须使磁芯复位。 在实际电路中，存在整流二极管压降，一，二次侧绕组电阻，滤波电感电阻以及功率开关压降，也影响极限占空比Dlim的选择。 如果在低输入电压Ui正好达到最大占空比极限值Dlim时，当出现突加负载，调节器没有备份的伏秒能力，不能响应负载的突变，造成电压交大的跌落，因此希望Dmax?Dmin。 在电源启动或突加负载时，瞬间造成输出电压跌落，反馈电路将占空比推向Dlim。  = 7 \* ROMAN VII匝数和匝比选取 一次侧一般电压较高，调整一次侧匝数和匝比并不困难。二次侧一般匝数较少，工作频率较高，二次侧有可能只有一匝，甚至少于一匝，如果取整，会带来很大的匝比误差，同时引起相关问题  = 8 \* ROMAN VIII磁通偏移 根据电磁感应定律，一个线圈包围的磁通等于每匝伏秒的积分，这意味着一个周期内平均电压必须为零。在低频变压器中，会出现磁通偏移，最简单的解决磁偏的方法是在变压器一次侧串联一个电容，利用电容隔离激励波形中的直流分量。  = 9 \* ROMAN IX磁芯选择 材料 功率铁氧体在高频时具有很高的电阻率，因而涡流损耗低，价格低，是高频变压器磁芯的首选材料 磁芯形状 磁芯窗口应尽可能宽 磁芯尺寸 二、变压器的设计： 设计开始应当首先决定使用参数。例如输入、输出电压及其变化范围、功率、工作频率等。 步骤一：确定变压器的电源参数。 Ui范围：100~190（可以用额定电压正负公差表示：220）。 输出：5V、50A（输出功率250W，有时暑促有一定调节范围或为多路输出）。 开关频率fs：200Khz（即变压器频率，有使用的元器件、磁芯材料、效率决定）。 最大损耗（绝对）2.5W：（变压器效率决定总损耗，根据经验分配到每个单元）。 最大温升：40℃（由磁芯和绝缘允许温度及变压器工作环境温度决定）。 冷却方式：自然通风。 步骤二：确定绝对占空比限值Dlim，假定额定低Ulim时Dmax（保证动态响应）和额定UiD。 绝对限值Dlim：0.47（考虑复位线圈与一次侧绕组匝数相等以及动态时磁芯不饱和）。 额定Dmax：0.42（最低输入电压时保证输出的最大占空比，与极限值有5%的余量）。 额定UiD：UiminDmax=42V（当输