可编程只读存储器.ppt

第12章 半导体存储器 孙卫强 内容提要 概述 只读存储器 （ROM） 随机存储器 （RAM） 存储器容量的扩展 用存储器实现逻辑函数 存储器的分类 存储器的分类 各种存储器特性比较 只读存储器ROM 掩膜只读存储器(Masked ROM) 可编程只读存储器(PROM) 可擦除的可编程只读存储器(EPROM) 电可擦除可编程只读存储器(E2PROM) Flash ROM输入和输出 地址输入端 Ax 数据输出端 Dx 片选端CE 输出使能OE 掩膜只读存储器(Masked ROM) ROM结构 ROM结构 ROM结构 掩膜只读存储器(Masked ROM) 掩膜只读存储器(Masked ROM) 掩膜只读存储器(Masked ROM) 用MOS管构成的存储矩阵 使用二维译码的ROM 使用二维译码ROM实现逻辑函数? 线与和线或 只读存储器ROM 掩膜只读存储器(Masked ROM) 可编程只读存储器(PROM) 可擦除的可编程只读存储器(EPROM) 电可擦除可编程只读存储器(E2PROM) Flash 可编程只读存储器(PROM) 在所有交叉点上都配置三极管（缺省存入1） 编程时将不需要的三极管对应的熔丝烧断即可 熔丝被烧断的交叉点存储0，否则存储1 PROM和编程器 只读存储器ROM 掩膜只读存储器(Masked ROM) 可编程只读存储器(PROM) 可擦除的可编程只读存储器(EPROM) 电可擦除可编程只读存储器(E2PROM) Flash 可擦除的可编程只读存储器(EPROM) 紫外线可擦除ROM 只读存储器ROM 掩膜只读存储器(Masked ROM) 可编程只读存储器(PROM) 可擦除的可编程只读存储器(EPROM) 电可擦除可编程只读存储器(E2PROM) Flash 存储器 静态RAM(SRAM) 地址输入端An-1..A0 数据输入端DINb-1..0 数据输出端DOUTb-1..0 片选CS 写使能WE 输出使能OE SRAM操作时序—读时序 SRAM的基本单元 IN:数据输入 SEL_L:片选,低有效 WR_L: 写使能,低有效 当SEL_L有效时，数据被输出 当SEL_L和WR_L同时有效时，数据被写入单元 SRAM DRAM (Dynamic RAM) 结构较SRAM简单，容易大规模集成 使用比较复杂，需要定期充电 由DRAM控制器(DRAM controller完成) 几个新名词 DDR：Double Data Rate，双倍速率 QDR：Quda Data Rate，四倍速率 内容提要 概述 只读存储器 （ROM） 随机存储器 （RAM） 存储器容量的扩展 用存储器实现逻辑函数 存储器的容量扩展（一） 一、位扩展 存储器的容量扩展（二） 二、字扩展 小结 ROM 掩模ROM PROM,EPROM, EEPROM(E2PROM) FLASH, NVRAM RAM SRAM,DRAM RAM扩展 位扩展，字扩展 用存储器实现逻辑函数 将8片1024*1的RAM扩展成1024*8的RAM 要点：所有RAM使用相同的控制线和地址线。 将4片256*8的RAM扩展成1024*8的RAM 要点：所有RAM使用相同的地址线和读写控制线， 但是片选信号不同，由译码器产生。 * Digital Fundamentals sunwq@sjtu.edu.cn * Digital Fundamentals sunwq@sjtu.edu.cn 存储器 随机存取存储器 混合型存储器 只读存储器 SRAM DRAM NVRAM Flash EEPROM EPROM PROM Masked ROM FPM-DRAM EDRAM EDO DRAM SDRAM RAMBUS RAM 存储器 随机存取存储器 混合型存储器 只读存储器 SRAM DRAM NVRAM Flash EEPROM EPROM PROM Masked ROM FPM-DRAM EDRAM EDO DRAM SDRAM RAMBUS RAM 计算机系统里面常用的半导体存储器类型 Fast Expensive (SRAM + battery) Unlimited Byte Yes No NVRAM Fast to read, slow to erase/write Moderate Limited (consult datasheet) Sector Yes No Flash Fast to read, slow to erase/write Expensive Limited (consult datasheet) Byte Yes No EEPROM Fast Moderate Limited (consult data