第八章半导体发光二极管概要.pptVIP

当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同，释放出的能量越多，则发出的光的波长越短。常用的是发红光、绿光或黄光的二极管。 8.5 半导体LED的工作原理 p-n结注入式电致发光机理 （结型电致发光） 按照半导体材料不同形成的p-n结来进行电致发光的情况，可分为两类： 同质p-n结注入式电致发光 异质p-n结注入式电致发光 8.7.4 温度对LED的电学性质的影响 温度对二极管正向驱动电压也有影响。 对非简并半导体，在正向偏压下，肖克莱方程可写成： 由此可得： 其中： 8.8.1 P-I特性和不同定义下得光发射效率 LED最终的输出光功率可以用发光过程中每一步自身的特征效率表示，所以器件总效率（也叫外功率效率）可以表示为： ηg：过剩载流子的注入效率 ηi：载流子的辐射复合效率，也叫内量子效率。 ηesc：半导体内的光逸出器件能进入自由空间的效率，也叫 光学（逸出）效率。 LED的输出光功率Pout与注入电流 I 的关系 是反映器件性能优劣的基本特性之一。 1、注入效率ηg 对于一个不对称的n+-P结，电子注入是主要的，注入到结的P型侧的电子电流是二极管总电流的一部分，即： 由此可得： 爱因斯坦关系 质量作用定律 2、内量子效率ηi LED的内量子效率定义为： 其中，Pin是从LED有源区发射的光功率，I是注入电流。 对于直接带隙半导体的同质结器件，内量子效率一般为50%，双异质结结构器件的ηi可达60%~80%。 对间接带隙半导体，ηi很低，掺入等电子杂质中心后，复合只能靠杂质能级发生，。 3、光逸出效率ηesc 从LED管芯有源区发出的光子不是都能逸出到管子外面的自由空间区的，存在各种损耗因素。例如，从管芯发出的光会被衬底再吸收，发射的光可能入射到金属接触的表面而被反射吸收，还有从半导体表面发出的光，当期角度大于临界角时会发生全内反射。这样，管芯发射的光不能全部逸出管外，为此定义光逸出功率为： 提高光逸出效率是很困难的，通常不采取特殊措施时，不会超过50%。 4、外量子效率ηext 外量子效率定义为： 可见，外量子效率是内量子效率与光逸出效率的乘积。 5、外功率效率ηo 外功率效率定义为： 其中，IF为正向注入电流，Vj为pn结的偏置电压，Vj=VF-RIF，VF是正向偏置电压，R是电路中宗的串联电阻，IF与Vj的乘积为提供给LED的电功率，所以外功率也叫插座（wallplug）效率，转换效率即LED的总效率。 6、斜率效率ηo 斜率效率是描述LED的P-I特性的重要参量之一。 它定义为LED输出光功率Pout对注入电流IF的一次微分，即 7、荧光效率ηL（视觉响应） 当LED应用到与人眼视觉相关的场合中时，必须考虑器件的生物学影响，为此更适合用光度学单位来表示LED的性能。可以将器件的输出光谱对人眼的影响归一化，这样荧光效率可以表示为： P0(λ)是LED的发射谱，V(λ)是眼睛的明视觉响应谱。 8、LED光纤的耦合效率ηf 在LED地某些应用中，需要将光耦合进光纤，这时存在一个耦合效率，如果光纤维最大接受叫，则根据计算得到： 其中， 和 分别为光纤芯和包层的折射率，N.A为光纤的数值孔径。若认为LED发出的光在空间满足余弦分布，且满足分步范围在0~π/2，则耦合进光纤的光的效率为： LED与光纤的耦合效率很低，只有10%左右，所以提高耦合效率是LED结构设计研究的重要课题之一。 8.8.6 提高LED内量子效率的措施 从原理上讲，有两种可能的方法来提高LED的内量子效率：加大复合辐射概率和降低非辐射复合概率，具体通过以下几种方法来实现： （1）采用晶格匹配的双异质结构； （2）选取适当的有源区掺杂浓度； （3）选取适当的限制层掺杂浓度； （4）控制pn结偏移的影响； （5）降低非辐射复合的影响。 （1）采用晶格匹配的双异质结构 在异质结构中，有源层与限制层（包层）的晶格常数匹配是必要条件（应变量子阱结构除外）。晶格失配会产生悬挂键，形成失配位错线，载流子在这些位错上会发生非辐射复合，因此内量子效率就随晶格失配的增加而降低。 实验结果表明，当晶格失配率超过了3Χ10-3时，LED的输出光功率急剧下降。 （2）选取适当的有源区掺杂浓度 有源层和限制层的掺杂对双异质结LED内量子效率起着决定性的作用，而且影响是多方面的。 双异质结LED的有源区不需要重掺杂，不管是p型还是n型，重掺杂后pn结将位于量子阱区的边上，即靠近有源层-限