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TF製程簡介 講師: 蘇士豪 * * Layer 1 1100 鍍膜前清洗 1200 鍍膜 1300 上光阻 光罩Mask 照UV 光 1320 曝光 1340 顯影 1400 蝕刻 1800 去光阻 1200 M1 Sputter 目的: Metal 1 鍍膜 步驟及原理: Sputter方式成膜，32“M1組成: AlNd\Al\Mo = 1000\2000\700 AlNd: 主要導電層，因pure Al有hillock現象，加入2%Nd改善 – 升成一多孔 之surface Al: 主要導電層，隨產品之Rs需求調整厚度 Mo: 主要做Profile control，via surface contact用 因壓差電漿內的部份離子，將脫離電漿並往陰極板移動。 經加速的離子將轟撞(Bombard)在陰電極板的表面除產生二次電子外，且因此而擊出電極板原子。 被擊出的電極板原子將進入電漿內，最後傳遞到另一個放置有晶片的電極板的表面。 這些被吸附(Adsorded)在晶片表面的吸附原子(Adatoms)，將進行薄膜的沈積。 Mo AlNd Al Layer 2 角色：通道層 ( 半導体層 )與 電容 Common Line Gate electrode SiNx a-Si n+ G1 G2IN Single and Double G-SiNx G I n+ G1 I n+ G2 3500A 1100A 250A 1750A 1100A 250A 1750A G1 2200 2205 G1 G1 G2 2201 ?process gas : G : SiH4 + NH3 + H2 + N2. I : SiH4 + H2. N : SiH4 + H2 + PH3 (1%) /H2. ?process concern : G layer: 1.好的絕緣性 2.Good step coverage 3.漏電流低 4.低的接面電荷捕捉密度 I layer function A1 300? high mobility for current flow low depo. Rate-dense film A2 800? – 犧牲氧化層 3900 channel etching windows Etching depth: 3 x n+ thick 避免 N+ diffusion 入 A1 A1 A2 N+ N+厚度對電性的影響 : N+ 的作用 : Ohmic contact for M2 and I layer interface Device turn off 時抵擋 hole current 以降低 junction leak N+ 厚度越大 Ion 越大 , I(-25) 越小 (N+ Etching Time Checking) 30” 5” 10” 15” 45” 50” 55” Layer 3 capacitor Gate electrode SiNx a-Si n+ Source electrode Drain electrode 3rd layer : Source drain electrode, data line Materials : MoN + Al + MoN 3200 M2薄膜 3300 M2 STCO 3400 M2濕蝕刻 3900 n+乾蝕刻 3940 M2去光阻 STOCKER 3320 M2 STEP 3340 M2 STDV normal abnormal 3200 M2 Sputter 組成: MoN1\Al\MoN2 = 250\2000(or2500)\450? MoN1:(1)barrier layer – 因Al與N+直接接觸會有氧 化鋁產生(阻抗大)與附著性不良，故需此layer (2)profile (3)N+ ohmic contact Al:conduction layer MoN2:(1)ITO ring contact (2)profile 當鋁或鋁合金直接與ITO CONTACT時，因材料電位差與後續製程如：顯影液與OVEN熱處理，便會產生劇烈的Galvanic Corrosion(伽凡尼腐蝕)，導致在鋁與ITO的介面產生氧化鋁，因氧化鋁之阻值相當高，導致ITO與鋁接面的電阻也會提高。
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