离子注入二解析.ppt

4.5 离子注入设备与工艺 偏束板 离子束在运动过程中可以和热电子发生电荷交换，形成中性粒子，影响注入均匀性 加入静电偏转电极，一般5度左右，中性束不能偏转而去除 4.5 离子注入设备与工艺 靶室 样品架 法拉第杯（控制注入剂量） 第四章 离子注入-作业 要求：11月4日上课交作业，或发送至 xyfan@。 1.比较离子注入与热扩散工艺，分析两者各自的优缺点。 2.试用LSS理论分析离子注入的基本原理，入射离子能量损失的两种模型各是什么？ 2. 简述沟道效应的形成机理，并给出减弱或消除沟道效应的几种措施。 3. 离子注入后为何要进行退火热处理？ 4. 快速热退火的主要优点是什么？ * 第四章 离子注入-作业 /show/-JP8k1MK7kT9fziZnp4v-A...html /programs/view/fLp7hS0elT0 /us55069984.shtml /patently-apple/2014/08/apple-reveals-a-multi-step-process-to-strengthen-sapphire-glass-in-a-new-european-patent-filing.html * * 苹果 蓝宝石，sapphire * * * * * * * * * 集成电路工艺原理 * * 集成电路工艺原理 * * 集成电路工艺原理 * * 第四章 离子注入 4.1 离子注入原理 4.2 注入离子在靶中的分布 4.3 注入损伤 4.4 退火 4.5 离子注入设备与工艺 4.6 离子注入的其他应用 * * 4.1 离子注入 核阻止 电子阻止 4.4 退火 损伤退火 被注入离子往往处于半导体晶格的间隙位置，对载流子的输运没有贡献；而且也造成大量损伤。 注入后的半导体材料： 杂质处于间隙 nND；pNA 晶格损伤，迁移率下降；少子寿命下降 热退火后：n? ? n=ND (p=NA) ?? ? ?bulk ? ? ? ?0 4.4 退火 损伤退火的目的 恢复晶格——去除由注入造成的损伤，让硅晶格恢复其原有完美晶体结构 激活杂质——使不在晶格位置上的离子运动到晶格位置－替位位置，以便具有电活性产生自由载流子。 电性能还原——恢复载流子迁移率和少子寿命 注意：退火过程中应避免大幅度的杂质再分布 4.4 退火 退火，也叫热处理，在氮气等不活泼气氛中进行的热处理过程。 机理——高温下，原子的振动能增大，移动能力加强，复杂的损伤分解，简单缺陷移动符合后消失。 硅原子进入晶格速度比杂质原子慢； 低剂量造成的损伤：较低温度下退火； 高剂量造成的损伤：较高温度较长时间退火； 4.4 退火 4.4 退火 4.4 退火 4.4 退火 4.4 退火 4.4 退火 硼的退火特性 低剂量（8×1012/cm2） 电激活比例随温度上升而增加 高剂量（1014/cm2和1015/cm2） 退火温度可以分为三个区域 500℃以下，电激活比例又随温度上升而增加 500～600℃范围内，出现逆退火特性 晶格损伤解离而释放出大量的间隙Si原子，这些间隙Si原子与替位B原子接近时，可以相互换位，使得B原子进入晶格间隙，激活率下降。 600℃以上，电激活比例又随温度上升而增加 4.4 退火 硼的退火特性 4.4 退火 磷的退火特性 虚线表示的是注入损伤区还没有变成非晶区的退火特性（剂量从3×1012/cm2增加到3×1014/cm2） 电激活比例随温度上升而增加。 剂量升高时，退火温度相应升高，才能消除更为复杂的无规则损伤。 实线表示的是非晶区的退火特性（剂量大于1015/cm2），退火温度降低为600 ℃左右 非晶层的退火机理是与固相外延再生长过程相联系 在再生长过程中，Ⅴ族原子实际上与硅原子难以区分，它们在再结晶的过程当中，作为替位原子被结合在晶格位置上。所以在相对很低的温度下，杂质可被完全激活。 4.4 退火 磷的退火特性 4.4 退火 热退火过程中的扩散效应 热退火的温度与热扩散的温度相比，要低得多。但是，对于注入区的杂质，即使在比较低的温度下，杂质扩散也是非常显著的。 这是因为离子注入所造成的晶格损伤，使硅内的空位密度比热平衡时晶体中的空位密度要大得多。 离子注入也使晶体内存在大量的间隙原子和多种缺陷，这些都会使得扩散系数增加，扩散效应增强。 热退火中的扩散称为增强扩散。 4.4 退火 热退火过程中的扩散效应 注入杂质经退火后在靶内的分布仍然是高斯分布 标准偏差需要修正 扩散系数明显增加 4.4 退火 热退火过程中的扩散效应 高斯分布的杂质在热退火过程中会使其分布展宽，偏离注入时的分布，尤其是尾部，出现了较长的按