量子点在半导体光电器件中的研究概要.ppt

Company Logo LOGO Company Logo Company Logo 欢迎参加学士论文答辩 201444 指导教师：王河林 量子点在半导体光电器件中的应用研究 班级：应物1001 学生：万郝霆玮 学号：201010800112 目录 1 研究的背景与意义 2 制备半导体量子点材料的技术 3 量子点在光学器件中的应用 4 量子点在电学器件中的应用 5 量子点在其他领域的应用 6 量子点未来的研究应用及发展构想 Company Logo 背景及意义：量子点是指颗粒尺寸在1～100 nm范围内的金属或半导体材料的微小颗粒。其性质稳定，当受到电或者光的刺激时就会发光。由于其特殊的介于体材料与分子间的尺寸，从而表现出各种特殊而奇妙的物理化学特性，利用这些特性可以实现一些普通材料和器件难以完成的目标。控制量子点的几何形状和尺寸可改变其电子态结构,实现量子点器件的电学和光学性质的剪裁,是目前能带工程设计的一个重要组成部分，也是国际研究的前沿热点领域。 选题的背景及意义 半导体量子点材料的制备 应变自组装技术 典型的“自下而上”制备技术 利用Stranski-Krastanow(S-K)生长模式适合于晶格失配较大，但表面、界面能不是很大的异质结材料体系 优点 方法简单 无需复杂的工艺技术 不会形成自由表面缺陷 不会引入杂质污染 目前是制备量子点材料最常用、最有效的方法 半导体量子点材料的制备 微结构生长与微细加工相结合方法 1)微细加工处理以后再进行微结构生长技术。 2)微结构生长后再进行微细加工处理制备技术。 半导体量子点材料的制备 表面活性剂法 衬底之间表面能与界面能与生长前沿外延层之间的关系决定外延生长的模式 RsRf+Ri RsRf+Ri 半导体量子点材料的制备 纳米结构的汽-液-固相(VLS)生长模式 在特定的衬底表面上制备空间上排列有序的金属液滴 分子束炉喷射金属原子或通入气体分子于衬底表面 半导体量子点材料的制备 离子注入法 通过离子束与衬底材料中的原子或分子发生一系列物理和化学互作，使入射离子能量逐渐降低，最后保留在材料中 将离子注入到晶体中会使晶体非晶化，再经退火非晶可部分重结晶 量子点在光电器件中的应用 活细胞荧光标记及组织光学成像 量子点颜色的多样性及可调性，使其可实现多色标记同一细胞 量子点在光电器件中的应用 肿瘤细胞示踪及诊断影像 （a）光动力疗法中的光动力行程 (b)诱导量子点光动力学过程的可能机制 量子点在光电器件中的应用 动物活体成像 动物活体中量子点结合荧光成像系统可对肿瘤进行定位,实时监测肿瘤细胞的生长和转移 量子点在光电器件中的应用 激素及生物因子研究成像 量子点在光电器件中的应用 量子点激光器 CdS单纳米线电驱动激光器的结构和发光特性 量子点在光电器件中的应用 InAs/GaAs 体系的分子束外延生长规律和技术也都相对比较成熟 , 易于实现高性能量子点激光器的制作 改进目标 室温下 高增益 高速度 高功率 低阈值电流密度 连续激射 量子点在光电器件中的应用 纵向输运器件 根据电子在与量子点生长方向平行的输运特性制成 目前量子阱共振隧穿二极管（RTD）已可以与CMOS器件混合集成，而量子点RTD的研究目前处于基础研究阶段 常见的量子点RTD：双势垒结构——势垒之间为量子点有源区，发射极和集电极分布于势垒两侧 加特定偏压时，能带发生倾斜。发射极电子费米能级达到或高于量子点电子基态能级，电子有较大概率共振隧穿通过双势垒结构 持续加大偏压，量子点电子基态能级低于发射极导带底，共振隧穿停止，负微分电阻现象出现。随偏压的升高，电子还与量子点电子激发态能级共振，电流-电压曲线呈现振荡或台阶特性 量子点在光电器件中的应用 横向输运器件 单电子晶体管：由于库仑阻塞效应，电子只能逐个通过器件，呈现单电子（或准单电子）输运行为 运用注入量子点中的载流子对量子阱沟道中二维电子气（2DEG）输运的调制作用可以获得预期的电流- 电压特性（振荡、台阶等） 量子点在光电器件中的应用 InAs/GaAs 量子点红外光探测器 包括两种基本的器件结构形式 垂直输运结构：载流子在顶部接触层和底部接触层之间的垂直输运收集光电流 横向输运结构：载流子在两个顶部的欧姆接触之间高迁移率通道中的输运收集光电流 调制掺杂的量子点红外探测器能带图 量子点在光电器件中的应用 Ge/Si 量子点红外光探测器 镶嵌在p-i-n 结构中自组织 Ge/Si 量子岛作为有源区 扩大 Si 基光探测器的波长适用范围 , 提高光探测效率和降低暗电流密度 由于 Ge