位错与缺陷实验观测解析.pptVIP

位错的实验观察 化学腐蚀法：选用适当的腐蚀液，晶体表面位错露 头处最容易被腐蚀，形成锥形的腐蚀坑。 缀饰法：如将Na在高温下扩散到NaCl晶体中，Na 原子就会沿位错线聚集而 显出颜色。 X射线形貌照相可直接照出晶体薄片中的位错线。 用高分辨电子显微镜可照出晶体中原子的排列情况。 其他方法 杂质原子沿位错线的聚集可以看作是化学腐蚀法和缀蚀法的应用原理。 位错的攀移 攀移总是伴随着空位（或间隙原子）的产生和消灭。 空位凝结和位错环 位错环通过空位进一步的沉淀而长大。 六、位错增殖和滑移 范性形变引起位错密度的大大增加。 典型的位错密度测量结果表明，在范性形变过程中位错密度由108 cm-2增至约1011 cm-2，既增加1000倍。 如果一个位错运动，完全扫过其滑移面，那么它会使上下两面错开仅为一个原子间距，但实际观测到的错开达到100~1000个原子间距。 这就意味着位错在形变过程中是增殖的。 所有位错的一个共同特征就是位错弯曲效应。一条两端被钉扎（固定）的位错线段称为一个弗兰克-里德位错源（Frank-Read source）。这个位错源可以导致在同一滑移面上产生大量的同心位错环。 位错增殖的弗兰克-里德机制 七、螺位错与晶体生长 晶体生长理论表明，为了要在完整晶面上凝结新的一层，关键在于首先要靠着涨落现象在晶面上形成一个小核心，然后原子才能沿