半导体器件第十章含作业教程.ppt

说明 这样我就可以光明正大的水经验了，哈哈，我得意地笑，我得意地笑… … 第十章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础 MOSFET的类型 两个PN结： 1）N型漏极与P型衬底； 当栅源之间加上正向电压，则栅极和p型硅片之间构成了以二氧化硅为介质的平板电容器，在正的栅源电压作用下，介质中便产生了一个垂直于半导体表面的由栅极指向p型衬底的电场（由于绝缘层很薄，即使只有几伏的栅源电压VGS ，也可产生高达105~106V/cm数量级的强电场）。 MOS结构中半导体表面能带弯曲的动因 金属与半导体之间加有电压（栅压） 半导体与金属之间存在功函数差 氧化层中存在净的空间电荷 平带电压 定义：使半导体表面能带无弯曲需施加的栅电压 来源：金属与半导体之间的功函数差，氧化层中的净空间电荷 小节内容 11.1.4 平带电压 来源 定义 如果没有功函数差及氧化层电荷,平带电压为多少? 如何算 小节内容 11.1.6 电荷分布 分布图 为什么书中可以经常忽略反型点的电荷?p327 10.2节内容 理想情况CV特性 频率特性 氧化层电荷及界面态的影响 实例 小节内容 理想情况CV特性 CV特性概念 堆积平带耗尽反型下的概念 堆积平带耗尽反型下的计算 频率特性 高低频情况图形及解释 小节内容 氧化层电荷及界面态对C-V曲线的影响 氧化层电荷影响及曲线 界面态概念 界面态影响概念曲线