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* FO-纯溶剂的蒸气压-温度曲线 GO-纯固态溶剂的蒸气压-温度曲线 交点O——三相平衡点,它与凝固点有区别,决定于OH的 斜率,但对于大多数物质,OH几乎垂直于温度轴,所以可把O点近似看成凝固点。 第二节 二元系统相图 * 如果在A物质中加入B,液相蒸气压下降多,固相蒸气压下降少,则导致凝固点下降。(一般是A熔点高,B熔点低,所以液相中B含量较多,液相蒸气压下降多) 如果在B物质中加入A,液相蒸气压下降少,固相蒸气压下降多,则导致凝固点上升。(一般是A熔点高,B熔点低,所以固相中A含量较多,固相蒸气压下降多) 规律:在任意给定温度下,降低凝固点的组分,在液相中的浓度高于在固相中的浓度,反之,升高凝固点的组分,在固相中的浓度高于它在液相中的浓度。 这个规律已被大量实验所证实,亦可借助于热力学推导。 第二节 二元系统相图 * 液相: 固相:H→F O点: F点 全部液相消失 由于液相中析出了含A较多的ss,所以液相组成向含A较少的方向变化。(EjG) 所析出的固溶体的组成是连续变化的。(与前面讲的相图不同) 这个相图的结构比较简单,析晶过程也不复杂。但它所涉及到的一些基本概念在实际的科研生产中却有广泛应用,诸如单晶生长过程中的组分过冷,半导体工艺中的区域熔炼等。 第二节 二元系统相图 * 有最高点和最低点的固溶体相图与此相图的析晶过程基本相同。值得注意的是最高点或最低点C,该点不是一个无变量点,只是一个呆性点。 若组成点的等浓线正好通过C,其析晶过程很简单,直接由组成为xc的液相线转变为组成是xc的固溶体。在C点要停留一段时间,冷却曲线上要出现平台。 这个组成的固溶体表现如单一物质一样。 第二节 二元系统相图 * 第二节 二元系统相图 5.生成有限固溶体的二元体系相图 在这类体系中,组分间在液态时是无限互溶,而在固态时的互溶度是有限的。这样在体系中就出现二种固溶体,组分A中溶有组分B的固溶体和组分B中溶有组分A的固溶体二种。 生成有限固溶体的二元体系有二种不同类型:低共熔型和转熔型。 * 低共熔型 我们先讨论一下这种相图的形成过程:大多数物质在高温下溶解度大,低温下溶解度小,在固溶体中也是如此。所以一些物质在高温下表现为完全互溶,而到低温下由于溶解度减少,出现了不互溶的情况。随着温度继续降低,不互溶的范围也逐渐增加。如图 MKN——不互溶区 KM曲线——A晶格中允许溶入 B组分的溶解度曲线 KN曲线——B晶格中允许溶入 A组分的溶解度曲线 第二节 二元系统相图 * 由于物质本性的不同(如离子半径差别,电价的差别),二组分在固态时互溶的能力也不同,假如固态时互溶的能力减弱,则在低温时不互溶的区域就会扩大。当这个不互溶区域大到顶部超过液相线温度时。就要影响到原先单一固溶体ss的液相线和固相线的形状,而且在性质上发生了变化,即连续固溶体ss不存在了。 第二节 二元系统相图 1点: Tu以下出现从α相分离出β相的变化,称为扩散相变。(单晶生长过程中,冷却后出现沉淀相的原因) * 2点: 当固相组成到达e点时,液相干涸,固相中α/β=Pe/Qe 注意:gu线与ex2线段的体系自由度的差别 第二节 二元系统相图 * 第二节 二元系统相图 转熔型 具有转熔型的有限固溶体相图的形成过程和具有共熔型的有限固溶体相图的形成过程是相似的。也是不互溶部分逐渐扩大而形成,只不过高温下原来的无限固溶部分不同。 * 共熔和转熔二种类型相图中液相线分布和状态点排列上的区别: 第二节 二元系统相图 在共熔型有限固溶体相图中液相线分布形状如图1-2-32,共熔点处状态点的排列如图1-2-33。 在转熔型有限固溶体相图中液相线分布形状如图1-2-34,共熔点处状态点的排列如图1-2-35。 * 组成点的析晶过程 1点: 2点: 第二节 二元系统相图 固相组成至G点时, 室温时, * 6.化合物和组分生成有限固溶体的二元相图 一致熔化合物和组分生成有限固溶体的二元相图 第二节 二元系统相图 在前面我们讨论过具有一个一致熔化合物的二元相图。如果该图中的化合物AmBn分别和纯组分A和B都形成有限固溶体,就会得到以上三种相图,当然也有其中一个组分和邻近化合物形成有限
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