失效分析3档案.pptVIP

2去除钝化层的方法： 化学腐蚀（各向同性） 等离子腐蚀PIE （各向同性） 反应离子刻蚀RIE（各向异性） 各向同性腐蚀和各向异性腐蚀 1.7.3去除金属化层技术 用途： 观察CMOS电路的氧化层针孔和Al－Si互溶引起的PN结穿钉现象，以及确定存储器的字线和位线对地短路或开路的失效定位 配方： 30％的硫酸或盐酸溶液，30～50℃，该配方不腐蚀氧化层和硅。 1.7.4机械剖切面技术 一般步骤： 固定器件（石蜡、松香和环氧树脂Epoxy） 研磨（毛玻璃、粗砂纸） 粗抛光（金相砂纸） 细抛光（抛光垫加抛光膏） 染色 金相观察 测量结深的抛光染色图片 1.8显微形貌像技术 光学照片与SEM照片对比 1.9基于测量电压效应的失效定位技术 1.9.1、扫描电子显微镜的电压衬度像 工作原理 ：电子束在处于工作状态下的被测芯片表面扫描，仪器的二次电子探头接收到的电子数量与芯片表面的电位分布有关。从而得到包含器件中电极的电势信息的SEM图象（IFA Image－based Failure Analysis）。 判定内容：芯片的金属化层开路或短路失效。 1、某芯片的电压衬度像 2、应用电压衬度像做失效分析实例 现象描述：4096位MOS存储器在电测试时发现，从一条字线可以存取的64个存储单元出现故障，现只能存储“0”信号。 初