硅材料加工要点分析.pptVIP

若需抛光加工就需要对研磨片进行腐蚀处理。通常采用化学腐蚀。分为酸腐蚀和碱腐蚀两种。 酸腐蚀：等方向性腐蚀，腐蚀液由不同比例的硝酸、氢氟酸及缓冲液配制而成。硝酸是氧化作用，氢氟酸是溶解二氧化硅，体积比为5:1。 缓冲液具有缓冲腐蚀速率的作用，还有改善晶片表面的湿化程度，避免产生不规则的腐蚀结构。缓冲液一般采用磷酸或醋酸，醋酸极易挥发，在腐蚀液中的浓度不易稳定，磷酸会降低腐蚀速率。 1、腐蚀界面层的厚度影响着分子的扩散，从而影响腐蚀速率，一般采用晶片旋转及打入气泡等方式进行搅拌，减小反应层厚度。 2、腐蚀温度一般控制在18~24℃,过高的温度有可能使金属杂质扩散进入晶片表面。 3、腐蚀器件为聚二氟乙烯制成。 4、腐蚀完成后，要快速进行冲洗，转移时间控制在2s以内 是一种非等方向性的腐蚀，腐蚀速率与晶片的结晶方向有关。（111）晶面具有较小的自由基不易被-OH腐蚀。腐蚀剂为KOH或者NaOH。 KOH的浓度控制在30%~50%，反应温度为60~120℃。腐蚀速度随浓度的增加而增加，达到最大值后，会随KOH浓度的增加而减小。浓度较高时，不仅有利于控制腐蚀速率，因黏度较高，也使晶片上比较不易留下斑点。 碱腐蚀与晶片表面的机械损伤程度有关，一旦损伤层完全去除，腐蚀速率就会变缓慢。 参数 酸腐蚀 碱腐蚀 反应性质 放热 吸热 腐蚀方向性 无方向性 有方向性 金属污染程度 腐蚀液纯度高，温度低，污