茂捷M5576与BCD的AP3105可以相互替代.docVIP

概述： M5576是一款高集成度、高性能、电流模式PWM控制芯片，离线式AC-DC反激拓扑结构，具备低待机功耗和低成本优点。正常工作下，PWM开关频率的范围在空载或轻载条件下IC工作在“跳周期模式”来减少开关损耗低待机功耗和高转换效率提供自动恢复逐周期电流限制（OCP）过载保护（OLP）VDD的欠压锁定（UVLO）过温保护（OTP）和过电压（固定或可调的）保护（OVP）, 上网本充电器 ■跳周期模式控制的改进，提高效率降低待机功耗 ■笔记本适配器 ■抖频功能，改善系统EMI性能 ■机顶盒电源 ■消除音频噪声 ■各种开放式开关电源 ■65KHz的开关频率 ■完善的保护功能 VDD 欠压保护 逐周的过流阈值设置，恒定输出功率 自动恢复过载保护（OLP） OTP） 锁定型的VDD 过压保护（OVP） 锁定型的过温保护（OTP） 过压保护点OVP通过外部稳压二极管可调 采用SOT-23-6和DIP-8封装 产品规格分类： 产品名称 开关频率 封装形式 丝印打字 包装形式 M5576 SR 65KHz SOT-23-6 编带 3K/盘 M5576 PR 65KHz DIP-8 管装 50个/管 2000个/盒 典型应用： 图1 M5576SR 应用图 SOT-23-6 图2 M5576PR 应用图 DIP-8 管脚排列图： 图3 DIP-8(顶部视图) 图4 SOT-23-6(顶部视图) 管脚描述： 管脚号 管脚名称 管脚描述 SOT-23-6 DIP-8 6 1 DRV 输出PWM信号驱动外部功率MOSFET 5 2 VDD 芯片供电 3、6 NC 悬空 4 4 SEN 电流检测 3 5 RT 多功能引脚。通过连接一个电阻接地过温控制通过齐纳到VDD保护2 7 COMP 芯片内部电路的环路补偿 1 8 GND 接地 芯片使用时极限参数： 项目 参数值 单位 最小值 最大值 VDD直流电压齐纳电压直流电流COMP输入电压输入电压输入电压最小/最大工作℃ 最小/最大温度℃ 最高温度（焊接，10）℃ 注：如果器件工作条件超出上述各项极限值，可能对器件造成永久性损坏。上述参数是工作条件的极限值，不建议器件工作在推荐条件以外的情况。器件长时间工作在极限工作条件下，其可靠性及寿命可能受到影响。 芯片内部框图： 图5 M5576内部框图 电气参数 (Ta=25oC)： 项目 参数 测试条件 最小 典型 最大 单位 供电电压（VDD） I _Startup VDD启动电流 VDD=UVLO(OFF)-1V，测试流入VDD的电流 5 20 uA I_VDD_Ops 工作电流 VCOMP=3V 1.4 2.5 mA VDD_OFF 欠压锁存开启 8 9 10 V VDD_ON 欠压锁存结束（恢复） 14.5 15.5 16.5 V Vpull_up 上拉PMOS启动 13 V Vdd_Clamp IVDD=10mA 30 32 34 V OVP(ON) 过压保护电压 SEN=0.3V,COMP=3V, VDD升高直到DRV时钟关闭 26 28 30 V 反馈输入部分（COMP Pin） VCOMP_Open VCOMP 开环电压 4 5 V 最大占空比 Max duty cycle @ VDD=14V, COMP=3V, VSEN=0.3V 75 80 85 % Vref_green 进入绿色模式的阈值 1.4 V Vref_burst_H 进入跳周期模式的阈值 0.68 V Vref_burst_L 离开跳周期模式的阈值 0.58 V ICOMP_Short COMP 引脚短路电流 测量COMP短路到地的电流 0.4 mA VTH_PL 过载时的COMP电压 3.6 V TD_PL 过载延迟时间 80 88 96 mS ZCOMP_IN 输入阻抗 16 KΩ 电流检测输入（SEN pin） SST 软启动时间 4 ms T_blanking 前沿消隐时间 220 ns TD_OC 过载延迟时间 从过流产生到DRV引脚关闭 120 ns VTH_OC 内部电流限制阈值电压与零占空比 0.75 V Vocp_clamping SEN电压嵌位 0.9 V 振荡器 Fosc 振荡频率 VDD=14V, COMP=3V, SEN=0.3V 60