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* 各ウェハーは６つのzoneに分けられます。 これらは、ストリップ間分離の為の構造の違いです。 Nストリップである為、ストリップ間の電気的分離が問題になります。 酸化膜中にトラップされたプラス電荷がバルク内の電子を引き寄せ、ストリップ間に電子層を形成することにより、 ストリップ間が電気的に繋がってしまいます。 この電子層を除去するため、p-stopを入れてストリップ間を分離します。 インディビジュアルとcommonはp-stopの形状の違いです。 DC-field plate は　p-stopにDC的に結合して、フローティング状態になっています。 これにより、p-stopエッジの電場を和らげる働きをします。 AFはマイナスの電圧をplateにかけることによって、plate下の電位を操作し、電子を排除するのが目的です。 P-stop濃度についても１３乗の高濃度と12乗の低濃度を用意し比べました。 また、低濃度ではp-sprayがあるタイプも用意しました。 * 今回照射テストをしたｐ型サンプルの説明をします。 ウェハー製造法について2タイプのものを調べました。 １つはFZ法です。 これは、シリコン多結晶を高周波コイルで熱しながら、単結晶化していくものです。 CZ法における石英るつぼ等他の物質に触れないため、不純物濃度が低く、高抵抗のウェハーを製造できます。 現ｎ型ウェハー