晶体管及其基本电路摘要.ppt

第十章 晶闸管及其基本电路 半导体器件向两个方向发展：微电子和电力电子 1：微电子向微观发展---集成电路。主要实现信号的变换和传递。 2：电力电子向大功率发展---晶闸管。主要实现电功率的变换和控制；即实现强电的传输，但用弱电控制。 电力变换的种类： 电力电子学的定义：由电力学、电子学和控制理论三门学科交叉形成的学科，是研究采用功率半导体器件进行功率变换、控制以及大功率电路开关的技术及其应用范围的学科。 晶闸管的优点： 1）用弱电信号控制大功率的电能传输。 2）控制灵敏，反应快。控制时导通及截止快（微秒级）。 3）损耗小，效率高（压降仅1V）。 4）体积小，重量轻。 10.1.1 晶闸管（Silicon Controlled Rectifier—SCR) 1.晶闸管的结构和符号：是可控制的硅整流元件----可控硅。 4)晶闸管的主要参数 (1)额定电压---正向或反向重复峰值电压UDRM或URRM 它的值是伏安特性中正反向转折电压的80%. 一般选择额定电压为晶闸管在电路中承受的正常峰值电压的2倍. (2)额定电流----通态平均电流IT 晶闸管额定电流是指环境温度40度,规定的冷却条件下,电阻性负载,单相正弦半波电流的平均值. (3)维持电流IH----晶闸管流过的电流小于维持电流会自动关断. 额定电流IT的选取： ３.功率晶体管：适用于高电压和高电流的晶体管。 优点： （1）正向压降小，功耗小。 （2）当基极电流消失或反相时，晶体管立即截止，因而不存在关断问题。 缺点： （1）电压和电流额定值低； （2）基极功耗较大。 10.1.3 电力半导体器件的发展现状 五个阶段： （1）二极管和晶闸管 （2）功率MOSFET，GTO，GTR （3）绝缘栅双极晶体管（ IGBT ） （4）新的大功率型器件：对称栅极换流晶体管（SGCT），集成门极换向晶体管（IGCT）。 高集成度模块化是另一个发展方向，如智能功率模块（IPM)。 （5）功率集成电路（PIC）及其派生器件 将电力电子器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路集成在同一芯片上。 10.4 逆变器 整流器定义：交流---直流称整流 逆变器定义：直流---交流称逆变 变流器定义: 既能整流,又能逆变的为变流器. 逆变器分类：有源逆变和无源逆变 逆变后的交流返回电网的称有源逆变; 供给负载的称无源逆变. 2 单相无源逆变器的电压控制 对于交流变频调速，要求U/f不变，即在改变频率时必须改变端电压的大小，因此，要求逆变器必须进行电压控制。其控制方法有： 1）控制逆变器的输入直流电压 如果电源为交流，则可以通过可控整流电路，把交流变成可调的直流输入到逆变器，而控制逆变器的输出交流电压。这在交—直—交变频器中常用。 若为直流电源，则可利用直流变成交流，控制逆变器或斩波器来改变直流输入电压的大小。这些方法的缺点是逆变器输出交流电压波形的谐波成分随着输出电压的减少而增加。 2)在逆变器内部的电压控制 这种电压控制有两种方法： (1)脉宽控制。 不改变逆变器输入直流电压的大小，而是通过改变逆变器中晶闸管(或晶体管)的导通时间以控制输出脉冲的宽度来改变逆变器输出电压，此方法称脉宽控制 。 如果改变VS3和VS4相对于VS1和VS2的触发角之间的相位关系(如延迟π/2),可得到图10．34所示的电压波形。从波形图看出，若使延迟角从0变到π，可使逆变器的输出电压从零变到最大值。 由图10．34可以明显看出，当输出脉冲宽度减小(即输出电压减小)时，输出电压波形的谐波分量却随着增加 ，当基波减小到最大值的20％时，3次、5次、7次谐波几乎和基波值相等，因此这是它的最主要的缺点。采用脉宽调制的方法可以解决这个问题。 n=1时为基波，n1时为谐波。 (2) 脉宽调制(PWM)和SPWM 几个基本概念： 载波信号：高频振荡信号称为载波信号。 调制信号：缓变信号称为调制信号。 调制：利用缓变信号来控制调节高频振荡信号的某个参数，使其按缓变信号的规律变化。 调制波：载波被缓变信号调制后称为调制波。 10.5 晶闸管的触发电路 向晶闸管供给触发脉冲的电路，叫触发电路。比较常用的触发电路有下面几种。 (1)单结晶体管触发电路，是最早应用的、基本的、常用的一种。它的优点是电路简单，可靠性高，适用于中小容量的晶闸管电路。缺点是输出脉冲不够宽。