第8章 三极管版图.pptVIP

集成电路版图基础——晶体管版图设计 * - 双极：晶体管工作时，同时利用电子和空穴两种载流子，好像存在两个电极，一个吸引电子，一个吸引空穴。 CMOS器件仅仅利用一种载流子工作，所以被称为单极型器件。 基本IC单元版图设计 –双极性晶体管 * 双极型三极管有两种类型:NPN型和PNP型。 8.1 半导体三极管 ８.1.1 三极管的结构 集电极 发射极 基极 集电区 基区 发射区 集电结 发射结 图 NPN型三极管结构和符号 基极 发射区 图 PNP型三极管结构和符号 集电极 发射极 集电区 基区 集电结 发射结 * 三极管处于放大状态的工作条件 内部条件：制作工艺特点 外部条件：发射结正偏(利于多子扩散运动)，集电结反偏（利于少子漂移运动） 电位 关系 对NPN型：VC ＞ VB ＞ VE ８.1.2 三极管的电流放大作用 * 三极管内部载流子的传输过程(以NPN共射极电路为例) 发射区(大量电子) 基区 集电区 扩散 漂移 复合 发射结 正偏 集电结 正偏 说明：发射区大量电子在发射结的扩散运动形成IE，在基区的与空穴的复合，形成基极电流IB，电子在集电结的漂移形成IC。三极管中电流的形成主要是发射区电子的运动形成，当然在三极管中还有其他载流子的漂移和扩散，由于形成电流很小，几乎可以忽略不计。 输入回路 输出回路 * 三极管的 流分配关系 三极管各极的电流分配关系为: 基极电流IB增大时, 集电极电流IC也随之增大。 当IB有微小变化时，IC即有较大的变化。 在工程计算时可认为： * 三极管制作工艺的的特点： ----保证三极管具有放大作用的内部条件。 发射区的掺杂浓度比基区和集电区高得多 基区很薄且掺杂浓度底 集电极结面积大 管芯结构剖面图 NPN型 * 双极性晶体管工艺：横向工艺和纵向工艺 横向工艺：横向NPN版图迫使P区变大，因为需要满足接 触需要，这就降低你开关的速度。 E B C N N P * * - FET中栅长L决定了器件的速度，而bipolar的速度由p区宽度决定。 FET的L取决于工艺水平，而bipolar可以用一个少量的、快速的注入形成一个非常薄的p层，制备此注入层比制备很短的栅条容易得多。 纵向工艺： - 采用纵向器件工艺技术可以更加精确地制备bipolar，基区可以比横向工艺制备的小很多，相应的，bipolar的开关速度比FET更快了。 基本IC单元版图设计 –双极性晶体管 * * 纵向工艺： - 纵向npn晶体管的基极和集电极连接似乎很困难，但是因器件各层的水平长度并不影响器件的速度，扩展水平长度是解决问题的关键。 - 基区/发射区结的制备要比基区/集电区结的制备重要的多，所以要使器件颠倒过来，最后制备发射区，因为先制备的层比后制备的层要承受更多的扩散过程和应力作用。 基本IC单元版图设计 –双极性晶体管 * 基本IC单元版图设计 –双极性晶体管 外延生长- 硅片退火 构建N区域-集电极 N型-注入区与埋层相连 制备基区 * 基本IC单元版图设计 –双极性晶体管 制备发射区 * * * E E B B C C * C B E E E * * npn bipolar 寄生效应： - 在所有的寄生参数中，最突出的是基区电阻和集电区电容，这些寄生参数将会降低器件的性能。 BICMOS工艺兼容双极型器件和CMOS器件的工艺。 基本IC单元版图设计 –双极性晶体管 *