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主動元件的特性與應用(上) 宇量　 二極體、電晶體、FET等主動電子元件已經成為各種電子電路不可或缺的元件，因此本文整合常用半導體元件深入探討應用電路特性。 切換大負載的電路．可以控制大負載電流ON/OFF的電路如圖1所示利用電晶體切換大約1A左右大負載電流時，必需從外部提供某種程度基準電流；圖2是過渡分析圖1電路時的動作特性。 動作上為了使電晶體變成ON，必需使用22mA左右的電流，這對個人電腦、DSP等數位電路而言，直接供應如此大電流相當嚴苛，此時可以使用Darlington切換電路。　 圖1 切換大電流的電路範例　 圖2 圖1的基準電流與輸出入電壓的波形　 ．巨大電流增幅率的Darlington電路圖3的電路與圖1一樣都是驅動負載的Darlington切換電路，由圖可知它是在驅動負載的電晶體 前面插入電晶體 ， 的Emitter再連接於 的Base。 本電路為了紀念原創者Dr.Sidney Darlington，因此稱為Darlington電路。　 ?圖3 Darlington電路範例　 圖4後段電晶體Q2的Collector電流1C2可用下式表示: 1C2hFE1 x hFE2 x 1B1------------------(1) 如果Q1與Q2都是同等級電晶體時hFE = hFE1 x hFE2，其結果變成非常大，這也是本電路可以用很小的基準電流控制大Collector電流主要原因，此時必需注意Q1的基準(Base)一直到Q2 Emitter為止的電壓會變成1/VBE2 (大約是1.2V左右)，而且隨著電晶體種類與基準電流值的不同，有可能變成1.6V。　 圖4 Darlington電路的流動電流　 圖5是Q1的基準電流1B1動作波形，VIN = 3V時亦即Q1與Q2 ON時，1B1 = 650μA，此時即使與圖1一樣驅動負載，從外部提供的基準電流會變得非常小。　 圖5 Darlington Switch的基準電流波形　 圖6是Q2 Collector電位VOUT的動作波形，VIN = 3V時VOUT0V，因此它可以用很小的基準電流精確使大電流作ON/OFF切換。　 圖6 圖3電路的輸出入電壓波形　 實際上圖6的Q2變成ON時，VOUT卻不會成為0V(大約是0.1V左右)，造成該現象主要原因是電晶體ON時，Collector與Emitter之間有殘留阻抗成份，加上此處有Collector電流流動使得電壓降低(該電壓又稱為Collector-Emitter飽和壓稱VCE(sat))。 不過 不像 幾乎呈一定值，它會隨著電晶體種類與Collector電流改變，此時需注意 值，因為它是造成電晶體發熱主要原因。電晶體ON時電晶體內的電力損失Pc如下: Pc = VCE(sat) x 1c----------------------(2) 由於Pc變成熱能後會從電晶體散逸，因此切換電流極大時必需注意發電晶體熱問題。圖7的電晶體是在相同封裝內將2電晶體作Darlington連接；圖8是2個電晶體連接至Darlington電晶體，依此製造成模擬分析用切換(Switching)電路，圖中的Q2殘留電壓非常大，因此必需注意電晶體ON時Collector與Emitter之間產生的電壓引發的發熱問題。　 圖7 Darlington電晶體的結構　 圖8 Darlington電晶體的動作原理　 圖9是圖8電路的VOUT動作波形，由圖可知Q2變成ON時會產生大約0.77V左右的殘留電壓，此時若改用Darlington電晶體的話，殘留電壓最低只有0.6V，主要原因是Q2的Collector若不比Emitter高一個VBE(0.6V)，Q1的Base-Collector之間的二極體就會變成ON，如此一來Q1就無法發揮電晶體特性正常動作。 基於上述該電位關係因此必需設法使本電路取得平衡，此外VCE(sat)外觀上看似變大，不過切換大電流時還是需要注意電晶體的發熱問題。　 圖9 圖7Darlington電晶體發生殘留電壓　 切換直流電源的電路．使用電晶體的電路如圖10所示本負載切換電路可以從邏輯電路以控制信號切換提供負載電源，由於切換正電源時高電位電源端設有切換元件，因此本電路又稱為High Side Switch。 動作上電路中的控制信號VOUT一旦變成H，就會依照Q2→Q1順序ON提供電源電壓VCC至負載端。　 圖10 可以使連接VCC與負載RL的電源線ON/OFF的Load Switch電路　 圖11是圖10電路的動作波形，由圖可知VOUT變成OV/4.77V，它可以用0V/3V的邏輯信號，ON/OFF提供負載端的電源。 Q1 ON時VOUT無達