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全国太阳能光伏组件技术培训班教材 硅太阳电池封装技术及工艺 硅太阳电池封装技术及工艺 本技术工艺适用于采用EVA 层压封装硅太阳电池组件。 主要设备及原材料 1．主要设备 （1） CYY 2600P 型真空层压机一台 （2） 固化炉一台 （3） SPI-SUN SIMULATORTM 480i 2．主要原材料 钢化玻璃 厚度3.2mm±0.3；钢化性能应符合同标：GB9963-88或者封装后的组件抗冲击性能达到国标GB9535-88 地面用硅太阳电池组件环境试验方法中规定的性能指标；一般情况下，透光率应高于90%；清洁度要求，对于钢化后没被污染的玻璃，可用无纺布片擦净玻璃表面，如已受沾污的玻璃，应用中性洗净剂或者有机溶液清洗表面。用于封装的玻璃不得有水汽、灰尘、油迹或者其它污物，操作过程中，不得用手接触玻璃两表面。 （2）EVA 厚度0.3~0.6mm，表面平整，厚度均匀，内含交联剂，能在150℃固化温度下交联，形成稳定的胶层。 （3）TPT 厚度0.17mm，纵向收缩率不大于1.5%，用于封装的TPT 至少应有三层结构：外层保护层PVF 具有良好的抗环境侵蚀能力，中间层为聚酯薄膜具有良好的绝缘性能，内层PVF 需经表面处理和EVA 具有良好的粘结性能。封装用Tedlar 必须保持清洁，不得沾污或者受潮，特别是内层不得用手指直接接触，以免影响EVA 的粘结强度。 （4）接线盒 接