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- 2016-06-06 发布于浙江
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第二部分 材料与器件性能表征 (36学时)
实验要求
通过完成以下九个实验,掌握半导体材料和器件性能的表征方法及基本的实验技能,培养分析问题和解决问题的能力。
目 录
实验一. 双极型晶体管特性的测量与分析
实验二. 场效应晶体管特性的测量与分析
实验三. 硅光电器件管芯特性的测量与分析
实验四. 硅材料电阻率及扩散薄层电阻的测量
实验五. 硅光电池光照特性的测量与分析
实验六. 功率晶体管热参数的测量
实验七. 硅光电器件光谱响应特性的测量
实验八. 单晶体的激光定向及材料缺陷的显示与观察
实验九. 用椭偏仪测量透明介质薄膜的厚度和折射率
实 验 卡 片
实验一 双极型晶体管特性的测量与分析
实验要求
1.弄清双极型晶体管主要参数的物理意义和使用Keithley4200半导体参数分析仪的基本方法。
2.测试样品为3AX31和3DG6,弄清这两类器件的类型和引脚,任选一只按共发射极接法进行测量。
3.测量该晶体管的输入特性曲线,并根据
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