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实验 功率场效应晶体管(MOSFET)特性 与驱动电路研究 一．实验目的： 1．熟悉MOSFET主要参数的测量方法 2．掌握MOSEET对驱动电路的要求 3．掌握一个实用驱动电路的工作原理与调试方法 三．实验设备和仪器 MCL-07电力电子实验箱中的MOSFET与PWM波形发生器部分 2．双踪示波器 3．表 4．电压表 五．实验方法 1．MOSFET主要参数测试 （1）开启阀值电压VGS(th)测试 在主回路的“1”端与MOS 管的“25”端之间串入毫安表，测量漏极电流ID，将主回路的“3”与“4”端分别与MOS管的“24”与“23”相连，再在“24”与“23”端间接入电压表, 测量MOS管的栅源电压Vgs，并将主回路电位器RP左旋到底，使Vgs=0。将电位器RP逐渐向右旋转，边旋转边监视毫安表的读数，当漏极电流ID=1mA时的栅源电压值即为开启阀值电压VGS（th）。 读取6—7组ID、Vgs，其中ID=1mA必测，填入表。 ID（mA） 1 Vgs（V） （2）跨导gFS测试 双极型晶体管（GTR）通常用hFE（β）表示其增益，功率MOSFET器件以跨导gFS表示其增益。 跨导的定义为漏极电流的小变化与相应的栅源电压小变化量之比，即gFS=△ID/△VGS。 根据测量数值，计算gFS。 )导通电阻RDS测试 导通电阻定义为RDS=VDS/ID 将电压表接至MOS 管的“25”与“23”两端，测量UDS，其余接线同上。改变VGS 从小到大读取ID与对应的漏源电压 VDS，测量6组数值，填入表 ID（mA） 1 VDS（V） ID＝f（VSD）测试 ID＝f（VSD）系指VGS＝0时的VDS特性，它是指通过额定电流时，并联寄生二极管的正向压降。 a．在主回路的“3”端与MOS管的“23” 端之间串入安培表，主回路的“4”端与MOS管的“25”端相连，在MOS管的“23”与“25”之间接入电压表，将RP右旋转到底，读取一ID与VSD的值。 b．将主回路的“3”端与MOS管的“23”端断开，在主回路“1”端与MOS管的“23”端之间串入安培表，其余接线与测试方法同上，读取另一ID与VSD的值。 c．将“1”端与“23”端断开，在在主回路“2”端与“23”端之间串入安培表，其余接线与测试方法同上，读取第三ID与VSD的值。 2．快速光耦6N137输入、输出延时时间的测试 将MOSFET单元的输入“1”与“4”分别与PWM波形发生器的输出“1”与“2”相连，再将MOSFET单元的“2”与“3”、“9”与“4”相连，用双踪示波器观察输入波形（“1”与“4”）及输出波形（“5”与“9”之间），记录开门时间ton、关门时间toff。 ton= ，toff= 驱动电路的输入、输出延时时间测试 在上述接线基础上，再将“5”与“8”、“6”与“7”、“10”“11”、“12” “11”、“14”与“”、”16”与“13”相连，用示波器观察输入“1”与“4”及驱动电路输出“18”与“9”之间波形，记录延时时间t。4．电阻负载时MOSFET开关特性测试 （1）无并联缓冲时的开关特性测试 在上述接线基础上，将MOSFET单元的“9”与“4”连线断开，再将“20”与“24”、“22”与“23”、“21”与“9”以及主回路的“1”与“4”分别和MOSFET单元的“25”与“21”相连。用示波器观察“22”与“21”以及“24”与“21”之间波形（也可观察“22”与“21”及“25”与“21”之间的波形），记录开通时间ton存储时间tstoff。 ton= ，ts=toff= （2）有并联缓冲时的开关特性测试在上述接线基础上，再将“25”与“27”、“21”与“26”相连，测试方法同上。 5．电阻、电感负载时的开关特性测试 （1）有并联缓冲时的开关特性测试 将主回路“1”与MOSFET单元的“25”断开，将主回路的“2”与MOSFET单元的“25”相连，测试方法同上。 （2）无并联缓冲时的开关特性测试 将并联缓冲电路断开，测试方法同上。 ．不同栅极电阻时的开关特性测试 电阻、电感负载，有并联缓冲电路 （1）栅极电阻采用R6=200Ω时的开关特性。 （2）栅极电阻采用R7=470Ω时的开关特性。 （3）栅极电阻采用R8=1.2kΩ时的开关特性。 ．栅源极电容充放电电流测试 电阻负载，栅极电阻采用R6，用示波器观察R6两端波形并记录该波形的正负幅值。 ．消除高频振荡试验 当采用电阻、电感负载，无并联缓冲，栅极电阻为R6时，可能会产生较严重的高频振荡，通常可用增大栅极电阻的方法消除，当出现高频振荡时，可将栅极电阻用较大阻值的R8。 六．实验报告 1．根据所测数据，