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  • 2016-07-05 发布于重庆
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热插拔可靠性的新标准

热插拔可靠性的新标准   大多数热插拔系统都有一些内在的故障机理,一个是功率FET 的安全工作区(SOA)问题,另一个是在电流流过时拔出器件承受感应尖峰(inductive spike)的能力问题。本文介绍不采用高额定值的功率器件和短路引脚,而通过使用一个集成的热插拔器件来解决这两个问题。   典型的热插拔控制器采用称为断路器(circuit breaker)的方案来保护电路及其FET。该方法使用双电平限流使器件能在浪涌电流下工作,并在发生短路时仍可快速关断。在这类电路中,FET 处于开或关状态。这是一种行之有效的保护连接电路和功率FET 的方法,但是需要电路设计工程师推测来确定过流情况发生时间的长短。这种方法也比其它方法更可能引起跳闸。由于与保护FET 相关的不确定性,这种方法一般会使功率器件的尺寸过大。   一个替代的方法是在浪涌发生时将FET 用作线性限流器件,其优点在于可以保护连接电路并更能承受浪涌,缺点则是必须小心谨慎,以避免超出FET 的安全工作区。由于限流过程中会产生大量功耗,所以很容易超过SOA 限制。功率MOSFET 的安全工作区一般由规定了器件可以承受特定时间的最大允许电压和电流组合的图表表示。   使用单片控制器和FET 可以直接检测FET 裸片区域的温度。裸片温度是防止FET 出现各种热过应力(overstress)的一个变量。单个控制器和FET 不能检测裸

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