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定义：场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）. 它属于电压控制型半导体器件.场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声 ?作用：放大.开关。 分类： 沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种. 按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型, 绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。 内部结构：结场效应晶体管和MOS场效应晶体管, MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类.、 场效应管 主要特性参数: Idss — 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0 时的漏源电流. Up — 夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压. Ut — 开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压. BvDS — 漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS. PDSM — 最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最 ? 定义：在一片很小的硅芯片,一面用激光或其它的方法蚀刻成大量的电阻,电容晶体管等组件并连接成电路,然后进行封装,便形成IC,由于IC内组件的结构紧密,电压大,故性能稳定,能够完成大规模的电路作业. 作用：集成各类元